Browsing by Author "Закалик, Любов"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    Математичне моделювання внутрішніх механічних напружень в багатошарових інтегральних структурах
    (Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Закалик, Любов; Красівський, Ігор
    Багатошарові інтегральні структури широко використовуються в радіоелектронній апаратурі та іншій сучасній техніці. При виготовленні цих структур в процесі охолодження від температури нанесення шарів до нормальної (робочої) температури, а також при експлуатації в них виникають значні механічні напруження. В цій статті запропонований метод розрахунку напружено-деформованого стану інтегральних структур. The multilayered integral structures find a wide use in radioelectronic apparatus and other contemporary engineering. Attached to making of these structures in chilling process from temperature of bringing layers to normal (work) temperature, and also attached to exploitation arise considerable mechanical stress. The computation method of tenselydeformed state of integral struktures is offered in this paper.
  • Thumbnail Image
    Item
    Моделювання та дослідження основних характеристик оптичного давача тиску
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2001) Закалик, Любов; Ванчицький, Тарас
    Проведемо моделювання зміни характеристик мініатюрного оптичного давача тиску з одномодовим оптичним волокном передачі сигналу під дією тиску. Modelling of changes of optical characteristics of miniature optical pressure sensor with single-mode optical fibre of signal transmission at influence of pressure is provided.
  • Thumbnail Image
    Item
    Моделювання характеристик компенсаційних шарів градієнтно-напружених гетероструктур
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2003) Павлиш, Володимир; Даичишии, Ігор; Закалик, Любов; Іваник, Ростислав; Корж, Роман
    Наведено результати термодинамічного стану на границі розділу гетеро- структури InxGa1-xAs-GaAs при товщині перехідного шару не більше 4 нм. In this paper the results of thermodynamic analysis of a tight - strained state on boundary of separation of heterostructure InxGa1-xAs-GaAs are reduced at thickness of a transitional layer no more 4 nm.