Моделювання характеристик компенсаційних шарів градієнтно-напружених гетероструктур

Loading...
Thumbnail Image

Date

2003

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»

Abstract

Наведено результати термодинамічного стану на границі розділу гетеро- структури InxGa1-xAs-GaAs при товщині перехідного шару не більше 4 нм. In this paper the results of thermodynamic analysis of a tight - strained state on boundary of separation of heterostructure InxGa1-xAs-GaAs are reduced at thickness of a transitional layer no more 4 nm.

Description

Keywords

Citation

Моделювання характеристик компенсаційних шарів градієнтно-напружених гетероструктур / Володимир Павлиш, Ігор Даичишии, Любов Закалик, Ростислав Іваник, Роман Корж // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 477 : Радіоелектроніка та телекомунікації. – С. 237–240. – Бібліографія: 8 назв.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By