Моделювання характеристик компенсаційних шарів градієнтно-напружених гетероструктур
Loading...
Date
2003
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»
Abstract
Наведено результати термодинамічного стану на границі розділу гетеро- структури InxGa1-xAs-GaAs при товщині перехідного шару не більше 4 нм. In this paper the results of thermodynamic analysis of a tight - strained state on boundary of separation of heterostructure InxGa1-xAs-GaAs are reduced at thickness of a transitional layer no more 4 nm.
Description
Keywords
Citation
Моделювання характеристик компенсаційних шарів градієнтно-напружених гетероструктур / Володимир Павлиш, Ігор Даичишии, Любов Закалик, Ростислав Іваник, Роман Корж // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 477 : Радіоелектроніка та телекомунікації. – С. 237–240. – Бібліографія: 8 назв.