Browsing by Author "Крайовський, Р."
Now showing 1 - 2 of 2
- Results Per Page
- Sort Options
Item Прогнозування термометричних характеристик Zr1-xНоxNiSn на основі результатів розрахунків розподілу електронної густини(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2010) Крайовський, Р.; Ромака, В.Досліджено вплив акцепторної домішки Но на зміну кристалічної та електронної структур інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn у концентраційному діапазоні х(Но) = 0 ÷ 0,50. Зроблені висновки про характер поведінки рівня Фермі (εF ) Zr1-xНоxNiSn, механізми керування положенням εF та особливості функцій перетворення резистивних та термоелектричних термоелементів.Item Прогнозування термометричних характеристик Zr1-x YxNiSn на основі результатів розрахунку розподілу електронної густини(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Ромака, В. А.; Крайовський, Р.; Ромака, Л. П.Досліджено вплив акцепторної домішки Y на зміну кристалічної структури та розподілу електронної густини інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn у концентраційному діапазоні х(Y) = 0 ÷ 0,25. Зроблено висновки про характер поведінки рівня Фермі (εF) Zr1-xYxNiSn, механізми керування положенням εF та особливості функцій перетворення резистивних та термоелектричних термоелементів. Influence of p-dopant of Y is іnvestigational on the change of crystalline structure and distributing of electronic closeness of intermetallic semiconductor of n-ZrNiSn in the concentration region of х(Y) = 0 ÷ 0,25. Conclusions are done about the pattern of behaviour of level Fermi (εF) Zr1-xYxNiSn, mechanisms of management position of εF and thermoelectric thermocouples.