Прогнозування термометричних характеристик Zr1-x YxNiSn на основі результатів розрахунку розподілу електронної густини
No Thumbnail Available
Files
Date
2009
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract
Досліджено вплив акцепторної домішки Y на зміну кристалічної структури та
розподілу електронної густини інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn у концентраційному діапазоні х(Y) = 0 ÷ 0,25. Зроблено висновки про характер поведінки рівня Фермі (εF) Zr1-xYxNiSn, механізми керування положенням εF та особливості функцій перетворення резистивних та термоелектричних термоелементів. Influence of p-dopant of Y is іnvestigational on the change of crystalline structure and distributing of electronic closeness of intermetallic semiconductor of n-ZrNiSn in the
concentration region of х(Y) = 0 ÷ 0,25. Conclusions are done about the pattern of behaviour of level Fermi (εF) Zr1-xYxNiSn, mechanisms of management position of εF and thermoelectric thermocouples.
Description
Keywords
акцепторні домішки, кристалічна структура
Citation
Ромака В. А. Прогнозування термометричних характеристик Zr1-x YxNiSn на основі результатів розрахунку розподілу електронної густини / В. А. Ромака, Р. Крайовський, Л. П. Ромака // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 639 : Автоматика, вимірювання та керування. – С. 163–168. – Бібліографія: 6 назв.