Прогнозування термометричних характеристик Zr1-x YxNiSn на основі результатів розрахунку розподілу електронної густини

Abstract

Досліджено вплив акцепторної домішки Y на зміну кристалічної структури та розподілу електронної густини інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn у концентраційному діапазоні х(Y) = 0 ÷ 0,25. Зроблено висновки про характер поведінки рівня Фермі (εF) Zr1-xYxNiSn, механізми керування положенням εF та особливості функцій перетворення резистивних та термоелектричних термоелементів. Influence of p-dopant of Y is іnvestigational on the change of crystalline structure and distributing of electronic closeness of intermetallic semiconductor of n-ZrNiSn in the concentration region of х(Y) = 0 ÷ 0,25. Conclusions are done about the pattern of behaviour of level Fermi (εF) Zr1-xYxNiSn, mechanisms of management position of εF and thermoelectric thermocouples.