Browsing by Author "Махній, В. П."

Now showing 1 - 9 of 9

Вплив надстехіометричних компонент на електричні та люмінесцентні властивості шарів ZnSe:Mn
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Кінзерська, О. В.; Махній, В. П.; Погребенник, В. Д.; Пашук, А. В.
Вплив надстехіометричних компонент на електричні та люмінесцентні властивості шарів ZnSe:Mn
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Кінзерська, О. В.; Махній, В. П.; Погребенник, В. Д.; Пашук, А. В.
Досліджено вплив відпалів у насиченій парі Zn і Se на електропровідність і люмінесцентні характеристики дифузійних шарів ZnSe з домішкою Mn. Показано, що надлишковий Zn спричиняє збільшення електронної провідності та інтенсивності крайової смуги випромінювання, а надлишковий Se призводить до інверсії типу провідності і практично повного гасіння крайової смуги. The effect of annealing in saturated pair of Zn and Se on electrical and luminescent properties of diffusion layers ZnSe doped by Mn is studed. It is shown that Zn excess causes an increasing in electronic conductivity and intensity of edge emission band but Se excess leads to the inversion of the conductivity type and almost complete extinction of the edge band.
Електрофізичні параметри селеніду цинку, легованого перехідними металами
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Кінзерська, О. В.; Махній, В. П.
Люмінесценція дифузійних шарів селеніду цинку, легованих 3d-елементами
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2010) Горлей, В. В.; Кінзерська, О. В.; Махній, В. П.
Люмінесценція дифузійних шарів селеніду цинку, легованих 3D-елементами
(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Горлей, В. В.; Кінзерська, О. В.; Махній, В. П.
Проаналізовано вплив 3d-елементів на випромінювальні властивості кристалів селеніду цинку, легованих цими домішками з парової фази у закритому об’ємі. The influence of 3d-elements on the radiating properties of zinc selenide crystals doped with these impurities from the vapor phase in a closed volume are analized.
Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Герман, І. І.; Махній, В. П.; Черних, О. І.
Проаналізовано основні механізми формування оберненого струму в поверхнево-бар’єрних діодах на основі підкладинок n-CdTe. Встановлено, що експериментальні вольтамперні характеристики при низьких обернених напругах визначаються тунельними процесами, а при великих – помноженням носіїв у результаті ударної іонізації. Analysis of the main mechanisms of inverse current in the surface-barrier diodes based on n-CdTе is carried out. Established that the experimental current-voltage characteristics at low inverse voltages are determined tunnel processes and at high inverse voltages – the sharp increase of carriers as a result of impact ionization.
Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:О
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Герман, І. І.; Махній, В. П.; Черних, О. І.
Оптичні властивості ізовалентно-заміщених шарів селеніду кадмію
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Махній, В. П.; Мельник, В. В.; Сльотов, М. М.; Ткаченко, І. В.
Оптичні властивості ізовалентно-заміщених шарів селеніду кадмію
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Махній, В. П.; Мельник, В. В.; Сльотов, М. М.; Ткаченко, І. В.
На підкладинках селеніду цинку методом ізовалентного заміщення виготовлено шари Cd1-xZnxSe, склад яких визначається температурою відпалу і визначено умови синтезу шарів селеніду кадмію кубічної модифікації. Досліджено оптичні властивості отриманих шарів і встановлено механізми випромінювальної рекомбінації. Layers of Cd1–xZnxSe by isovalent substitution are produced on ZnSe substrates. Their composition is determined by annealing temperature. The conditions for synthesis of cadmium selenide layers of cubic modification are defined. The optical properties of the obtained layers and the mechanisms of emissivity recombination are investigated.