Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O
No Thumbnail Available
Date
2013
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
Проаналізовано основні механізми формування оберненого струму в поверхнево-бар’єрних діодах на основі підкладинок n-CdTe. Встановлено, що експериментальні вольтамперні характеристики при низьких обернених напругах визначаються тунельними процесами, а при великих – помноженням носіїв у результаті ударної іонізації. Analysis of the main mechanisms of inverse current in the surface-barrier diodes based on n-CdTе is carried out. Established that the experimental current-voltage characteristics at low inverse voltages are determined tunnel processes and at high inverse voltages – the sharp increase of carriers as a result of impact ionization.
Description
Keywords
Телурид кадмію, поверхнево-бар’єрний діод, надбар’єрний і генераційно-рекомбінаційний струм, тунелювання, ударна іонізація, cadmium telluride, surface-barrier diode, generation-recombination current, tunneling, impact ionization
Citation
Герман І. І. Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O / І. І. Герман, В. П. Махній, О. І. Черних // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 88–91. – Бібліографія: 8 назв.