Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O

Loading...
Thumbnail Image

Date

2013

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Львівської політехніки

Abstract

Проаналізовано основні механізми формування оберненого струму в поверхнево-бар’єрних діодах на основі підкладинок n-CdTe. Встановлено, що експериментальні вольтамперні характеристики при низьких обернених напругах визначаються тунельними процесами, а при великих – помноженням носіїв у результаті ударної іонізації. Analysis of the main mechanisms of inverse current in the surface-barrier diodes based on n-CdTе is carried out. Established that the experimental current-voltage characteristics at low inverse voltages are determined tunnel processes and at high inverse voltages – the sharp increase of carriers as a result of impact ionization.

Description

Keywords

Телурид кадмію, поверхнево-бар’єрний діод, надбар’єрний і генераційно-рекомбінаційний струм, тунелювання, ударна іонізація, cadmium telluride, surface-barrier diode, generation-recombination current, tunneling, impact ionization

Citation

Герман І. І. Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O / І. І. Герман, В. П. Махній, О. І. Черних // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 88–91. – Бібліографія: 8 назв.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By