Browsing by Author "Мельник, С. С."

Now showing 1 - 9 of 9

Вирішення зворотних задач томографії в інформаційному просторі можливих рішень
(Видавництво Львівської політехніки, 2024-05-23) Мельник, С. І.; Мельник, С. С.; ІРЕ НАНУ (Харків)
Епiтаксiйнi гранатовi структури для твердотiльних лазерiв
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Убізський, С. Б.; Сиворотка, І. М.; Матковський, А. О.; Мельник, С. С.; Сиворотка, І. І.
У роботі представлені дослідження в області розробки епітаксійних гранатових шарів для їх використання в якості активних середовищ твердотільних лазерів, що спільно проводяться НВП "Карат" та Лабораторією фізики оксидних кристалів Центру "Кристал" НУ "Львівська політехніка" з 1997р. Описані особливості і перспективи використання мікрочіпових лазерів з пасивною модуляцією добротності та дискових лазерів, основні проблеми, що виникають в технології рідинно-фазної епітаксії активних середовищ для них, а також шляхи їх розв'язання. В результаті досліджень були розроблені технології одержання епітаксійних структур Cr4+:YAG/Nd:YAG і Cr4+:GGG/Nd:GGG для мікрочіпових лазерів та епітаксійних шарів Yb:YAG для дискових лазерів, випробування яких показали повну відповідність вимогам застосування. Investigation in the field of the epitaxial layers development for their use as active media of solid-state lasers are present in the work. The Department of Single Crystal Materials Physics and Technology of SRC «Carat» and Laboratory of the Oxide Crystal Physics of R&D Center «Crystal» of Lviv Polytechnic National University curry them out jointly since 1997. Peculiarities and application perspectives of the passivelly Q-switched microchip lasers and disk lasers are described as well as problems arising in the liquid-phase epitaxy technology of active media for them together with metods of their solutions. As a result of research the technologies are developed of the epitaxial structures fabrication of Cr4+:YAG/Nd:YAG and Cr4+:GGG/Nd:GGG for microchip lasers and epitaxial layers Yb:YAG for disk lasers. Their examination testified the full correspondence to application demands.
Микрочиповые лазеры
(Политехпериодика, 2002) Матковский, А. О.; Сыворотка, И. М.; Убизский, С. Б.; Мельник, С. С.; Вакив, Н. М.; Ижнини, И. И.
Описаны современные твердотельные микролазеры с пассивной модуляцией добротности с накачкой полупроводни¬ковым лазером, их конструкции и сфе¬ры применения. Описано сучасні твердотілі мікролазери з пасивною модуляцією добротності з накачкою напівпровідниковим лазером, їх конструкції та сфери застосування.
Моделювання процесу генерацii в мiкрочiпових лазерах
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2004) Бурий, О. А.; Убізський, С. Б.; Мельник, С. С.; Матковський, А. О.
Розглядаються монолітні мікрочіпові лазери на основі ітрій-алюмінієвого гранату (YAG), активованого неодимом (Nd:YAG) та ітербієм (Yb:YAG), пасивна модуляція добротності яких здійснюється за допомогоюепітаксійно нарощеного шару Cr+:YAG. Визначаються оптимальні з точки зору досягнення максимальної енергії в лазерному імпульсі значення радіуса пучка накачки, параметрів абсорбера та коефіцієнта відбивання вихідного дзеркала. Обгрунтовується можливість досягнення вищих значень енергії в імпульсі при використанні в якості генеруючого середовища кристалу Yb:YAG у порівнянні із традиційним Nd:YAG. The monolith Q-switched microchip lasers based on the yttrium-aluminum garnet single crystal (YAG) activated with neodymium (Nd:YAG) or the ytterbium (Yb:YAG), passivelly modulated by the epitaxially grown Cr4+:YAG layer, are considered. The optimal values of the pumping beam radius, absorber parameters (its thickness and the phototropic centers Cr4+ concentration) and the output mirror reflectivity as well are determined from the point of view of maximizing the laser pulls energy. The possibility to reach the higher values of the laser pulse energy is substantiated in generating medium based on the Yb:YAG crystal in comparison in comparison with a more traditional Nd:YAG.
Моделювання процесу генерації в мікрочіпових лазерах
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Бурий, O. A.; Убізський, С. Б.; Мельник, С. С.; Матковський, А. О.
Розглянуті монолітні мікрочіпові лазери на основі ітрій-алюмінієвого гранату (YAG), активованого неодимом (Nd:YAG) та іттербіем (Yb:YAG), пасивна модуляція добротності яких здійснюється за допомогою епітаксійно нарощеного шару Cr4+:YAG. Визначаються оптимальні з погляду досягнення максимальної енергії в лазерному ім¬пульсі значення радіуса пучка накачки, параметрів абсорбера (товщини абсорбера та кон¬центрації фототропних центрів Сг4+) та коефіцієнта відбивання вихідного дзеркала Об¬грунтована можливість досягнення вищих значень енергії в імпульсі при використанні як генеруючого середовища кристала Yb:YAG порівняно із традиційним Nd:YAG. The monolith Q-switched microchip lasers based on the yttrium-aluminum garnet single crystal (YAG) activated with neodymium (Nd:YAG) or the ytterbium (Yb:YAG), passivelly modulated by the epitaxially grown Cr4+:YAG layer, are considered. The optimal values of the pumping beam radius, absorber parameters (its thickness and the phototropic centers Cr4+ concentration) and the output mirror reflectivity as well are determined from the point of view of maximizing the laser pulls energy. The possibility to reach the higher values of the laser pulse energy is substantiated in generating medium based on the Yb:YAG crystal in comparison in comparison with a more traditional Nd:YAG.
Оптимізація мікрочіпового Nd:YAG лазера, що працює в режимі модульованої добротності
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бурий, О. А.; Мельник, С. С.; Убізський, С. Б.; Матковський, А. О.; Національний університет “Львівська політехніка”
Розглянутий мікрочіповий Nd:YAG лазер, модуляція добротності якого здійснюється за допомогою плівки Cr +:YAG. Визначено оптимальні значення коефіцієнта відбиття вихідного дзеркала та початкового пропускання нелінійного абсорбера, які забезпечують максимальне значення енергії у генерованому імпульсі. The microchip Nd:YAG laser Q-switched by the epitaxial film of the Cr4+:YAG saturable absorber is considered. The optimal values of the absorber initial transmission and the output mirror reflectivity are being optimized in order to reach the maximum of the energy at the laser pulse.
Особливості вирішення задач георадарної томографії у ближньопольвому діапазоні частот
(Видавництво Львівської політехніки, 2024-05-23) Мельник, С. І.; Мельник, С. С.; Лабазов, С. М.; ІРЕ НАНУ (Харків)
Особливості застосування інформаційно-алгоритмічного методу до задач георадарної томографії
(Видавництво Львівської політехніки, 2024-05-23) Мельник, С. І.; Мельник, С. С.; Лабазов, С. М.; ІРЕ НАНУ (Харків)
Теплові процеси в пасивному модуляторі добротності на основі кристала Cr4+:YAG
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Бурий, О. А.; Мельник, С. С.; Убізський, С. Б.; Матковський, А. О.
Проаналізовані теплові процеси в пасивному модуляторі добротності на основі плівки Cr4+:YAG. Визначено величину тепловиділення в абсорбері при генерації послідовності лазерних імпульсів. На основі числового розв'язку рівняння теплопровідності для різних значень енергії тепловиділення розраховано розподіл температури та проаналізовано вплив неоднорідного нагрівання на параметри модулятора. The heat processes in the Q-switching modulator based on the Cr4+:YAG film are considered. The heat-evolution in the absorber during the laser pulses generation is determined. The temperature distribution and the non-uniform heating influence on the modulator parameters are analyzed by means of the heat conductivity equation numerical solution.