Browsing by Author "Михащук, Ю. С."

Now showing 1 - 3 of 3

Відпрацювання технології вирощування квантових точок в системі GaAs/InAs модифікованим методом РФЕ
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Михащук, Ю. С.
Світловипромінювальна гетероструктура InP/InGaAsP з віддаленим від гетерограниці плавним p-n-переходом
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Мрихін, І. О.; Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Іжнін, О. І.; Михащук, Ю. С.; Григорчак, І. І.
Методом РФЕ в температурному інтервалі 635 – 620 оС вирощено гетероструктури n-InP:Те / p-In0.917Ga0.083As0.155P0.845:Zn та досліджено їхні випромінювальні, вольт-фарадні характеристики і напругу пробою. Виявлено існування кореляцій між інтенсивністю випромінювання структури за прямого зміщення та її напругою пробою за оберненого зміщення на p-n-переході. Встановлено, що найвищою інтенсивністю випромінювання володіли структури, для яких за використовуваних технологічних режимів росту легований p-InGaAsP:Zn шар нарощували не менше години. Показано, що така тривалість процесу забезпечує лінійний розподіл легуючої домішки в області p-n-переходу і величину градієнта її концентрації, меншу за 1022 см-4. Цього одночасно достатньо для забезпечення напруги пробою переходу Ud на рівні 10 В. Зроблено висновок, що величина Ud ≈ 10 В може використовуватися як критерій придатності досліджених p-n- гетероструктур для виготовлення світлодіодів. Heterostructure n-InP:Те / pIn0.917Ga0.083As0.155P0.845:Zn are grown by LPE method at temperature range 635 – 620 oC. Their emitting, volt-capacity characteristics and breakdown voltage are investigated. Presence of correlations between emitting intensity of structure under forward bias and its breakdown voltage under reverse bias is revealed. It is shown that the highest emitting intensity has the structures for which process of growing p-InGaAsP:Zn was continued no less than one hour. Such procedure ensures linear distribution of doping impurity at the range of p-n-junction and gradient of it concentration less than 1022 cm-4. It is enough for guarantee of breakdown voltage Ud at the level of 10 V. It is drawn a conclusion that value Ud ≈ 10 V may be used as criteria of aptitude of p-n-heterostructures under consideration for light-emitting diodes manufacturing.
Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії.
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Михащук, Ю. С.
Розроблено і реалізовано технологічні режими нарощування буферних шарів GaAs з перенасичених галієвих розчинів-розплавів, які забезпечують формування робочої поверхні вищої якості стосовно якості поверхні вихідної підкладки. Досліджено поведінку буферних шарів GaAs у контакті з насиченими розчинами-розплавами In-InAs за температури 450 оС. Показано, що за тривалості такого контакту щонайменше дві хвилини перехідні шари з вмістом індію на поверхні підкладки GaAs не утворюються. Technological conditions for growing of GaAs buffer layers from oversaturated melt-solution are elaborated and realized. The conditions enable to form resulting surface that has higher quality than quality of initial substrate surface. A behavior of GaAs buffer layers being in contact with saturated melt-solution. In-InAs at temperature 450 o C is investigated. It is shown that there are no transition layers containing Indium on the surface of GaAs substrate if duration of contact is no more than two minutes.