Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії.
No Thumbnail Available
Files
Date
2009
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract
Розроблено і реалізовано технологічні режими нарощування буферних шарів GaAs з перенасичених галієвих розчинів-розплавів, які забезпечують формування робочої поверхні вищої якості стосовно якості поверхні вихідної підкладки. Досліджено поведінку буферних шарів GaAs у контакті з насиченими розчинами-розплавами In-InAs за температури 450 оС. Показано, що за тривалості такого контакту щонайменше дві хвилини перехідні шари з вмістом індію на поверхні підкладки GaAs не утворюються. Technological conditions for growing of GaAs buffer layers from oversaturated melt-solution are elaborated and realized. The conditions enable to form resulting surface that has higher quality than quality of initial substrate surface. A behavior of GaAs buffer layers being in contact with saturated melt-solution. In-InAs at temperature 450 o C is investigated. It is shown that there are no transition layers containing Indium on the surface of GaAs substrate if duration of contact is no more than two minutes.
Description
Keywords
галієві розчини-розплави, технологічні режими, technological conditions, growing of GaAs
Citation
Заячук Д. М. Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії / Д. М. Заячук, С. І. Круковський, Ю. С. Михащук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 646 : Електроніка. – С. 71–76. – Бібліографія: 10 назв.