Browsing by Author "Полигач, Є. О."

Now showing 1 - 6 of 6

Домішки РЗЕ у напівпровідниках АIVBVI і АIIIBV: поведінка та вплив на фізичні властивості. (Огляд)
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Рибак, О. В.; Національний університет “Львівська політехніка”
Подано огляд і узагальнення результатів експериментальних та технологічних досліджень поведінки і впливу домішок рідкісноземельних елементів (РЗЕ) на фізичні властивості бінарних напівпровідників PbTe, PbSe, GaAs та твердих розчинів на їх основі, одержаних авторами у співпраці зі своїми колегами-науковцями. Comprehansive review and generalization of the experimental and technological investigatins of the behaviour and influence of the rare-earth elements (REE) impurities on the physical properties of the binary PbTe, PbSe GaAs semiconductors and solid solutions based on them, obtained by authors in colaboration with their colleagues-scientists, are given.
Дослідження легованих гадолінієм кристалів телуридів свинцю і олова методом ЕПР
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Полигач, Є. О.
Методом ЕПР в температурному інтервалі 80-300 К досліджено поведінку домішки гадолінію в кристалах твердих розчинів Pbi-xSnxTe:Gd (0
ЕПР кристалів PbTe:G
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Заячук, Д. М.; Полигач, Є. О.; Слинько, Є. Ї.; Хандожко, О. Г.; Національний університет “Львівська політехніка”; Чернівецьке відділення ІПМ НАН України; Чернівецький Національний Університет
Досліджено спектри ЕПР монокристалів PbTe:Gd, вирощених методами Бріджмена та парової фази і легованих гадолінієм у процесі росту. Встановлено, що форма та інтенсивність ліній сигналу ЕПР іонів домішки гадолінію залежить від його концентрації, методу вирощування та типу провідності легованих кристалів, а також від способу введення легуючої домішки. Зроблено висновок, що отримані результати свідчать на користь гіпотези про утворення в процесі легування телуриду свинцю гадолінієм структурно-домішкових комплексів “домішка заміщення - вакансія телуру”. Уточнено величину g-фактора домішки гадолінію в досліджуваних кристалах при кімнатній температурі та температурі рідкого азоту. PbTe:Gd crystals grown by Bridgman and vapour phase methods and doped with Gd while growth process has been investigated. It was ascertained that both shape and intensity of EPR spectrum lines depend on Gd concentration, doping method, type of crystal conductivity and growth method. Conclusion was drown that EPR spectrum behaviors obtained for crystals under investigation give the seal to our theory about forming of “Gd3+-VTe” complexes in PbTe doped with Gd impurity. g-factor value has been specified for both room and liquid nitrogen temperatures.
Модель міжатомних взаємодій у вольфраматі кальцію
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Сенишин, А. Т.; Яковина, В. С.; Полигач, Є. О.
Розраховано параметри потенціалів міжатомних взаємодій у кристалі вольфрамату кальцію. На основі експериментальних пружних постійних кристала побудована квазігармонійна модель Дебая. Проведені розрахунки динаміки гратки вольфрамату кальцію на основі квазігармонійного наближення та статичної мінімізації енергії з використанням програмного коду GULP. При високих температурах гармонійні властивості вольфрамату кальцію не зовсім коректно описуються відповідними інтерполяційними формулами в моделі Дебая внаслідок врахування впливу тільки акустичних фононів. У межах моделі міжатомних взаємодій розраховано структурні та пружні параметри, модуль Юнга, статичний коефіцієнт заломлення, температуру Дебая, фононну густину станів, теплоємність та параметр Грюнайзена. Спостерігалось добре узгодження експериментальних та розрахованих властивостей. The interatomic interactions have been derived for the case of calcium tungstate. With this potential the quasiharmonic Debye model has been constructed based on elastic properties of the crystal. The lattice dynamics simulations based on quasiharmonic approximation and static lattice energy minimisation have been performed using the code GULP. At elevated temperatures, due to including acoustic phonons only the Debye model is not appropriate way for describing the harmonic properties of crystal. Considering structural and elastic properties, Young modulus, static refractive coefficient, Debye temperature, phonon density of states, heat capacity and Grüneisen parameter the good agreement between experimentally observed and calculated physical properties has been detected.
Однорідність епітаксійннх структур GaAs, вирощених методом під впливом легуючої домішки Yb
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Струхляк, Н. Я.
Експериментально досліджені низькотемпературні спектри фотолюмінесценції (ФЛ) епітаксійних шарів арсеніду галію, вирощених методом рідинно-фазної епітаксії (РФЕ) з розчинів-розплавів галію, легованих домішкою ітербію в діапазоні концентрацій від 1-Ю'3 до 1.2-10"2 ат. %. Показано, що характер спектрів ФЛ і якість вирощуваних структур суттєво залежать від концентрації легуючої домішки в розплаві Визначено діапазон концентрацій легуючої домішки, який дає змогу отримувати епітаксійні структури високого ступеня однорідності. Low-temperature photoluminescence (PL) spectra of GaAs epitaxial layers grown by liquid-phase epitaxy (LPE) method from gallium solution-melt doped with Yb impurity over the range of concentration from MO'3 till 1.2‘10'2 at. % are investigated. It is shown that both the characteristics of the PL spectra and quality of the grown structures are depended appreciably on concentration of the doping impurity into the solution. The range of doped impurity concentration, which enables to grow of epitaxial layers of large-scale homogeneity, is ascertained.
Особливості ЕПР активності домішки гадолінію в кристалах твердих розчинів телуридів свинцю і олова
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Полигач, Є. О.; Слинько, С. І.; Хандожко, О. Г.; Національний університет "Львівська політехніка"
Проведено експериментальні дослідження спектрів ЕПР кристалічних і порошкоподібних зразків p-Pb1-x-ySnyGdyTe (x = 0,2, y = 0,01). Вперше показано, що розтирання зразків досліджуваних матеріалів у порошок, а також ЇХ низькотемпературний відпал переводить іони домішки Gd з ЕПР неактивного стану Gd+ у ЕПР активний стан Gd3+, в той час як високотемпературний відпал гасить сигнал ЕПР іонів Gd. Одержані експериментальні результати інтерпретуються на основі моделі, згідно з якою зарядовий стан Gd3+домішки гадолінію в телуридах свинцю і олова є складовою частиною комплексу "домішка заміщення Gd - вакансія Те” EPR experimental study of both crystalline and powder p-Pb1-x-ySnyGdyTe samples (x = 0,2, y = 0,01) has been carried out. First it was shown, that grinding investigated materials into powder as well as their low-temperature annealing turns Gd impurity ions from EPR non-active Gd2+ state to EPR Gd3+ one, whereas high-temperature annealing quenches EPR signal from Gd ions. Obtained experimental results are discussed within the model, according to which Gd3+ charge state of the Gd impurity ions in lead and tin tellurides is the component part of the "substituting Gd impurity - Te vacancy" complex.