Дослідження легованих гадолінієм кристалів телуридів свинцю і олова методом ЕПР
No Thumbnail Available
Date
2000
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»
Abstract
Методом ЕПР в температурному інтервалі 80-300 К досліджено поведінку домішки гадолінію в кристалах твердих розчинів Pbi-xSnxTe:Gd (0<x<0,3;203NGd<2-10 см" ), вирощених методом Бріджмена і легованих Gd в процесі росту. Встановлено, що характер спектрів ЕПР гадолінію в досліджуваних матеріалах залежить від структурної досконалості та складу кристалів, а також від концент¬рації домішки в них. На основі експериментальних даних розраховано g-фактор домішки Gd і його залежність від складу твердих розчинів Pb1-xSnxTe:Gd. Встановлено, що g-фактор є величиною ізотропною і не залежить ні від тем¬ператури, ні від концентрації домішки в кристалах.
The behavior of gadolinium impurity in Pb1-xSnxTe:Gd (0 < x < 0.3) solid solution crystals grown by Bridgman method and doped with Gd during growth process is investigated by EPR method. It is ascertained that the character of EPR gadolinium spectra into materials under study depends on both structural perfection and composition of crystals as well as on impurity concentration in them. Gd impurity g- factor and its dependence on composition of Pb1-xSnxTe:Gd solid solution is calculated on the base of experimental data. It is ascertained that g-factor is isotropic quantity which depends on neither temperature nor free carrier concentration but increases when the contain of tin telluride in composition of solid solution under study increases too.
Description
Keywords
Citation
Заячук Д. М. Дослідження легованих гадолінієм кристалів телуридів свинцю і олова методом ЕПР / Д. М. Заячук, В. І. Кемпник, Є. О. Полигач // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 401 : Електроніка. – С. 86–92 . – Бібліографія: 12 назв.