Browsing by Author "Рибак, О. В."

Now showing 1 - 7 of 7

Вирощування з парової фази та властивості кристалів pbi2 легованих марганцем
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Рибак, О. В.
Описана методика легування монокристалів PbI2 марганцем під час росту з парової фази в закритій системі при тиску парів надстехіометричного йоду. Швидкість масопере-несення в системі і концентрація домішки в монокристалах визначаються двома факторами: концентрацією легуючого металу в шихті і температурою зони джерела. Встановлено вплив марганцю на низькотемпературні (5 К) екситонні спектри фотолюмінесценції (ФЛ) PbI2. A procedure of doping PbI2 single crystals with Mn during vapor-phase growth in a closed system in the presence of excess iodine is described. The rate of mass transport in the system and the doping level of the crystals are shown to be governed by the dopant content in the source material and the source temperature. The effect of Mn doping on the lowtemperature (5 K) exciton photoluminescence (PL) spectrum of PbI2 is established.
Домішки РЗЕ у напівпровідниках АIVBVI і АIIIBV: поведінка та вплив на фізичні властивості. (Огляд)
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Рибак, О. В.; Національний університет “Львівська політехніка”
Подано огляд і узагальнення результатів експериментальних та технологічних досліджень поведінки і впливу домішок рідкісноземельних елементів (РЗЕ) на фізичні властивості бінарних напівпровідників PbTe, PbSe, GaAs та твердих розчинів на їх основі, одержаних авторами у співпраці зі своїми колегами-науковцями. Comprehansive review and generalization of the experimental and technological investigatins of the behaviour and influence of the rare-earth elements (REE) impurities on the physical properties of the binary PbTe, PbSe GaAs semiconductors and solid solutions based on them, obtained by authors in colaboration with their colleagues-scientists, are given.
Дослідження зміни електропровідності води при електрохімічній активації
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Бордун, І. М.; Пташник, В. В.; Біленька, О. Б.; Рибак, О. В.
Морфологія і структурнадосконалість кристалів PbI2 в зв'язку з умовами їх росту
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Курило, І. В.; Рибак, О. В.
Подано результати дослідження морфології та структури кристалів PbI2, одержаних із парової фази в закритій системі. Залежно від технологічних умов вирощування одержано такі типи кристалів: пластинчасті, смужкові, голчасті, двійникові, дендритні утворення, полікристали, а також їхні комбінації та зростки. Data are presented on the and structural perfection of PbI2 crystals grown from the vapor phase in a closed system. By varying growth conditions, platelike, ribbon, needle, twinned, and dendritic crystals were prepared, as well as combinations and intergrowths of these habits.
Особливості вирощування мікрокристалів GaAs під впливом домішки гадолінію
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Заячук, Д. М.; Рибак, В. М.; Рибак, О. В.
Досліджена взаємодія трийодиду гадолінію з As і GaAs, яка значною мірою визначає процеси зростання мікрокристалів GaAs методом хімічних транспортних реакцій в йодидних системах під впливом домішки гадолінію. Показано, що масоперенос GdI3 з зони джерела в зону кристалізації носить активаційний характер. Визначена енергія активації процесу, яка виявилась такою, що дорівнює (0,60 ± 0,015) еВ. Показано, що до температури 1 100 оС GdI3 не взаємодіє з еле- ментарним As, але взаємодіє з GaAs. Така взаємодія стимулює зростання мікро-кристалів GaAs і впливає на стан їх поверхні. Виявлено, що збільшення концентрації домішки Gd в джерелі для вирощування мікрокристалів GaAs спричиняє зростання концентрації вільних електронів у них. Експериментально визначено діапазон концентрацій домішки Gd, оптимальних для вирощування мікро-кристалів GaAs у вигляді прямокутних пластин і стрічок. The interaction of GdI3 with As and GaAs that determines to a considerable extent the growth processes of GaAs by chemical transport reaction method under influence of gadolinium impurity is investigated. It is shown that the GdI3 mass carry from source zone to crystallization one has activation character. The energy of the activation process is determined. It is equal to (0.60 ± 0.015) eV. It is shown that GdI3 does not interact with elementary As to temperature 1 100 oC, but it interacts with GaAs. Such interaction stimulates the GaAs microcrystals growth and influences on the state of their surface. It is found out that increasing of Gd impurity concentration in source for CaAs microcrystals growing causes increasing of free electron concentration. The range of Gd impurity concentration, which is optimal for CaAs microcrystals growing as right-angled plate or tape, is determined by experiment.
Прояв одновимірного розупорядкування структури в екситонних спектрах PbI2
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Рибак, О. В.; Лунь, Ю. О.
Термодинамічна вигідність БІ-інтеркаляції в наноструктурах на основі АІІІВ VI
(Видавництво Львівської політехніки, 2018-11-13) Товстюк, Н. К.; Крушельницька, Т. Д.; Рибак, О. В.; Романюк, М. М.; Національний університет «Львівська політехніка»