Browsing by Author "Стадник, Ю. В."

Now showing 1 - 4 of 4

Дослідження кінетичних характеристик чутливих елементів термоперетворювачів на основі Ti1-xMoxCoSb
(Видавництво Львівської політехніки, 2019-02-28) Крайовський, В. Я.; Рокоманюк, М. В.; Ромака, В. А.; Ромака, Л. П.; Стадник, Ю. В.; Горинь, А. М.; Krayovskyy, Volodymyr; Rokomanyuk, Mariya; Romaka, Volodymyr; Romaka, Lyubov; Stadnyk, Yuriy; Horyn, Andriy; Національний університет “Львівська політехніка”; Львівський національний університет ім. І. Франка; Lviv Polytechnic National University; Ivan Franko National University of Lviv
Виконано математичне моделювання та експериментальні вимірювання кінетичних та енергетичних характеристик чутливих елементів термоперетворювачів на основі термометричного матеріалу Ti1-xMoxCoSb у діапазоні температур 80–400 К. Попередні дослідження електрофізичних, енергетичних та структурних властивостей термометричних матеріалів, отриманих легуванням напівгейслерової фази TiCoSb атомами Ni та V, відповідно, показали, що вони володіють стабільними та відтворюваними характеристиками у температурному діапазоні 4,2–1000 К. Встановлено, що результати моделювання термометричних характеристик чутливих елементів на основі TiCo1-xNixSb та Ti1-xVxCoSb не узгоджувалися з результатами експериментальних вимірювань, що унеможливило їхнє використання для виготовлення чутливих елементів термометрів опору та термоелектричних перетворювачів. Моделювання електронної структури термометричних матеріалів Ti1-xMoxCoSb методом функцій Гріна (метод Корінги–Кона–Ростокера (KKR)) у наближенні когерентного потенціалу (Coherent Potential Approximation) та локальної густини (Local Density Approximation) з використанням ліцензованого програмного забезпечення AkaiKKR та SPR-KKR для обмінно- кореляційного потенціалу з параметризацією Moruzzi-Janak-Williams показало, що заміщення атомів Ti на Mo генерує у кристалі структурні дефекти донорної природи (у Mo більше 3d-електронів, ніж у Ti), а в забороненій зоні поблизу зони провідності εС утворюється домішковий донорний рівень (зона) 2D e. Експериментальні вимірювання електрокінетичних характеристик термометричних матеріалів Ti1-xMoxCoSb встановили наявність високотемпературних активаційних ділянок на залежностях питомого опору ln(ρ(1/T)), що вказує на розташування рівня Фермі εF у забороненій зоні напівпровідника, а це можливо за умови генерування акцепторів, які захоплюють вільні електрони, зменшуючи їхню концентрацію, та гальмують рух рівня Фермі εF до рівня протікання зони провідності εС. Отже, легування сполуки TiCoSb домішкою Mo призводить до генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Встановлено механізми електропровідності чутливих елементів термоперетворювачів.
Електронна структура та електрокінетичне дослідження термоелектрично матеріалу TiNi1-XCoXSn
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Ромака, В. А.; Домінюк, Т. І.; Стадник, Ю. В.; Ромака, Л. П.
Розраховано розподіл електронної густини та досліджено температурні і концентраційні залежності питомого електроопору, коефіцієнта термо-ЕРС, структурні та енергетичні характеристики TiNi1-xCoxSn у діапазонах, Т = 80 ÷ 380 К, х = 0 ¸ 0,1. The structural descriptions and density of electron states calculation, electrotransport and crystal structure characteristics of TiNi1-xCoxSn intermetallic semiconductor in ranges, T = 80 ¸ 380 K and x = 0 ¸ 0,1, respectively were investigated.
Кристалічна, електронна структури та електротранспорті властивості твердого розчину ZrNiSn1-xBix
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Ромака, В. В.; Стадник, Ю. В.; Ромака, Л. П.; Горинь, А. М.
Моделювання структурних фазових переходів у напівгейслерових-гейслерових фазах
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Ромака, В. В.; Стадник, Ю. В.; Ромака, Л. П.; Стародуб, П. К.