Browsing by Author "Druzhinin, A."
Now showing 1 - 7 of 7
Results Per Page
Sort Options
Item Medical Sensor Based on Silicon-on-insulators Structures(Видавництво Львівської політехніки, 2024-05-23) Talanchyk, D.-H.; Kutrakov, O.; Druzhinin, A.; Nichkalo, S.; Lviv Polytechnic National UniversityItem Si nanowires for antireflective coatings of photovoltaic cells(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Druzhinin, A.; Ostrovskii, I.; Yerokhov, V.; Khoverko, Yu.; Nichkalo, S.; Kogut, Iu.The paper deals with investigation of CVD grown silicon nanowires fabrication for antireflective coatings of photovoltaic cells.Item Silicon mechanical sensors for cryogenic temperatures: experimental simulation and characterization(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Druzhinin, A.; Maryamova, 1.; Kutrakov, О.; Pavlovskyy, I.; Palewski, Т.Temperature dependencies of Seebeck coefficient for free and strained heavily doped Si- Ge whiskers were studied in temperature range 4,2-300K. A compressive strain was shown to substantially change temperature behaviour of Seebeck coefficient. The main peculiarity of such change is stability of Seebeck coefficient in a wide temperature range 10-100 K, that is prospec¬tive for the whisker application in sensors of cryogen temperatures. Sensors for measurement of cryogenic temperatures operating in high magnetic field on the base of the whiskers were designed. Simplified circuit diagrams of processing the signals from the sensors were presented.Item Strain gages based on gallium arsenide whiskers(Видавництво Львівської політехніки, 2021-04-01) Дружинін, А.; Кутраков, О.; Островський, І.; Лях-Кагуй, Н.; Чемерис, Д.; Druzhinin, A.; Kutrakov, O.; Ostrovskii, I.; Liakh-Kaguy, N.; Chemery, D.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnik National UniversityДосліджено деформаційні властивості ниткоподібних і стрічкових кристалів GaAs р- та nтипів провідності із різною довжиною (0,3–7 мм) і діаметром (10–40 мкм) у широкому інтервалі температур. Тензорезистори на основі сильнолегованих ниткоподібних кристалів GaAs р-типу провідності мають лінійні деформаційні характеристики і слабку температурну залежність тензочутливості в інтервалі температур від –120 до +350 °С. Температурний коефіцієнт опору (ТКО) незакріплених тензорезисторів досягає +(0,12–0,16)%×град–1, атемпературний коефіцієнт тензочутливості в інтервалі температур –120 +80 °С становить–0,03 % × град–1. Тензорезистори на основі стрічкових кристалів GaAs n-типу провідностівідрізняються великою гнучкістю і високою тензочутливістю. Вони дієздатні до температур+400 °С і можуть використовуватись для вимірювання деформацій на криволінійнихповерхнях за високих температур. ТКО таких незакріплених тензорезисторів становить –0,01 +0,03 %×град–1, а температурний коефіцієнт тензочутливості в інтервалі температур–120 ... +400 °С досягає –0,16 % × град–1.Item Використання мікрокристалів кремнію, легованих бором та нікелем, у сенсорній техніці(Видавництво Львівської політехніки, 2022-03-01) Дружинін, А.; Островський, І.; Ховерко, Ю.; Лях-Кагуй, Н.; Druzhinin, A.; Ostrovskii, I.; Hoverko, Yu.; Liakh-Kaguy, N.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National UniversityДосліджено особливості перенесення носіїв заряду в мікрокристалах кремнію, легованих бором до концентрації, що відповідає переходу метал-діелектрик, а також модифікованих домішкою перехідного металу із незаповненою 3d+ оболонкою локального магнітного моменту. Досліджено магнітоопір мікрокристалів під дією магнітних полів до 14 Тл за кріогенних температур. Детально проаналізовано результати досліджень магнітотранспортних властивостей кристалів. Встановлено, що низькотемпературний транспорт носіїв заряду у мікрокристалах кремнію зумовлений стрибковою поляризаційною провідністю. Відповідно до результатів досліджень намагніченості ниткоподібних кристалів Si визначено концентрацію магнітних центрів, яка становить 4×1017см–3. Запропоновано використання мікрокристалів кремнію у сенсорах магнітного поля з магніторезистивним принципом дії.Item Магнітоопір та намагніченість кремнієвих мікроструктур за низьких температур(Видавництво Львівської політехніки, 2018-02-18) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Кучерепа, Н. І.; Druzhinin, A.; Ostrovskii, I.; Khoverko, Yu.; Kucherepa, N.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National UniversityДосліджено особливості перенесення носіїв заряду мікрокристалів кремнію, легованих бором до концентрацій, які відповідають переходу метал-діелектрик, та нікелем, що міститься у приповерхневій області кристала. Досліджено магнітні властивості до 4 кОе та магнітоопір ниткоподібних мікрокристалів кремнію під дією магнітних полів до 14 Тл за температур 4,2 К. Детально проаналізовано результати теоретичних досліджень магнітних та магнітотранспортних властивостей Si. Встановлено квадратичний характер залежності коефіцієнта від’ємного магнітоопору від намагніченості в ниткоподібних мікрокристалах кремнію.Item Оцінка низькотемпературних параметрів обмінної взаємодії полікристалічних шарів у КНІ-структурах(Видавництво Львівської політехніки, 2021-01-31) Дружинін, А.; Когут, І.; Островський, І.; Ховерко, Ю.; Мороз, А.; Druzhinin, A.; Kohut, I.; Ostrovskii, I.; Khoverko, Yu.; Moroz, A.; Національний університет “Львівська політехніка”; Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника; Lviv Polytechnik National UniversityВивчено особливості перенесення носіїв заряду в полікристалічних плівках у КНІструктурах, легованих бором до концентрацій, які відповідають переходу метал – діелектрик. Досліджено магнетоопір полікремнію у КНІ-структурах під дією магнітних полів до 14 Тл за температур 4,2 К. Детально проаналізовано результати досліджень магнітотранспортних властивостей полі-Si. Встановлено, що за низькотемпературного перенесення носіїв заряду в полікристалічних плівках наявна стрибкова провідність, параметри якої можна оцінити за сильної спін-орбітальної взаємодії у межах теорії слабкої локалізації.