Оцінка низькотемпературних параметрів обмінної взаємодії полікристалічних шарів у КНІ-структурах

Abstract

Вивчено особливості перенесення носіїв заряду в полікристалічних плівках у КНІструктурах, легованих бором до концентрацій, які відповідають переходу метал – діелектрик. Досліджено магнетоопір полікремнію у КНІ-структурах під дією магнітних полів до 14 Тл за температур 4,2 К. Детально проаналізовано результати досліджень магнітотранспортних властивостей полі-Si. Встановлено, що за низькотемпературного перенесення носіїв заряду в полікристалічних плівках наявна стрибкова провідність, параметри якої можна оцінити за сильної спін-орбітальної взаємодії у межах теорії слабкої локалізації.The article is devoted to the study of the peculiarities of charge carrier transfer in polycrystalline films in SOI structures doped with boron to concentrations corresponding to the metal-insulator transition. The magnetoresistance of polysilicon in SOI structures under the action of magnetic fields up to 14 T at temperatures of 4.2 K was studied. A detailed analysis of magnetic transport properties in poly-Si was performed. It was established that at low-temperature transport of charge carriers in polycrystalline films there is a hopping conductivity, the parameters of which can be estimated by strong spin-orbit interaction within the framework of the theory of weak localization