Оцінка низькотемпературних параметрів обмінної взаємодії полікристалічних шарів у КНІ-структурах
No Thumbnail Available
Date
2021-01-31
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Lviv Politechnic Publishing House
Lviv Politechnic Publishing House
Abstract
Вивчено особливості перенесення носіїв заряду в полікристалічних плівках у КНІструктурах, легованих бором до концентрацій, які відповідають переходу метал – діелектрик.
Досліджено магнетоопір полікремнію у КНІ-структурах під дією магнітних полів до 14 Тл за
температур 4,2 К. Детально проаналізовано результати досліджень магнітотранспортних
властивостей полі-Si. Встановлено, що за низькотемпературного перенесення носіїв заряду в
полікристалічних плівках наявна стрибкова провідність, параметри якої можна оцінити за
сильної спін-орбітальної взаємодії у межах теорії слабкої локалізації.
The article is devoted to the study of the peculiarities of charge carrier transfer in polycrystalline films in SOI structures doped with boron to concentrations corresponding to the metal-insulator transition. The magnetoresistance of polysilicon in SOI structures under the action of magnetic fields up to 14 T at temperatures of 4.2 K was studied. A detailed analysis of magnetic transport properties in poly-Si was performed. It was established that at low-temperature transport of charge carriers in polycrystalline films there is a hopping conductivity, the parameters of which can be estimated by strong spin-orbit interaction within the framework of the theory of weak localization
The article is devoted to the study of the peculiarities of charge carrier transfer in polycrystalline films in SOI structures doped with boron to concentrations corresponding to the metal-insulator transition. The magnetoresistance of polysilicon in SOI structures under the action of magnetic fields up to 14 T at temperatures of 4.2 K was studied. A detailed analysis of magnetic transport properties in poly-Si was performed. It was established that at low-temperature transport of charge carriers in polycrystalline films there is a hopping conductivity, the parameters of which can be estimated by strong spin-orbit interaction within the framework of the theory of weak localization
Description
Keywords
діагностика, серцево-судинна система, частота серцевих скорочень, багатоканальна система, polysilicon, silicon on insulator structure, cryogenic temperature, spin-orbit interaction
Citation
Оцінка низькотемпературних параметрів обмінної взаємодії полікристалічних шарів у КНІ-структурах / А. Дружинін, І. Когут, І. Островський, Ю. Ховерко, А. Мороз // Інфокомунікаційні технології та електронна інженерія. — Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2021. — Vol 1. — № 2. — С. 131–140.