Browsing by Author "Petrovska, H."

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Study of liquid crystal cell doped with BODIPY for lasing application
    (Видавництво Львівської політехніки, 2022-03-01) Петровська, Г.; Яремчук, І.; Мельников, С.; Волинюк, Д.; Стахіра, П.; Petrovska, H.; Yaremchuk, I.; Melnykov, S.; Volyniuk, D.; Stakhira, P.; Національний університет “Львівська політехніка”; Каунаський технологічний університет; Lviv Polytechnic National University; Kaunas University of Technology
    Досліджено застосування похідної органічних напівпровідників BODIPY для лазерної генерації. Нематичний рідкий кристал, легований похідною BODIPY, досліджено як середовище підсилення для лазера із розподіленим зворотним зв’язком. Визначено спектр відбивання нематичного рідкого кристала та спектри випромінювання нематичних рідких кристалів, легованих похідною BODIPY, у випадку лазерного накачування з довжинами хвиль 532 та 515 нм. Отримані спектри відповідають режиму, близькому до порогового.
  • Thumbnail Image
    Item
    Функціонально інтегровані графен-сенсори на основі поєднання магнітних та теплових методів
    (Видавництво Львівської політехніки, 2019-02-26) Петровська, Г. А.; Яремчук, І. Я.; Малинич, С. З.; Бобицький, Я. В.; Petrovska, H.; Yaremchuk, I.; Malynych, S.; Bobitski, Ya.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
    Подано оптимізовану технологію виготовлення методом фотостимульованого травлення напівпровідників поверхневої дифракційної решітки. Це дає змогу отримати решітки з контрольованим періодом та глибиною поверхневої модуляції. Проведено математичне моделювання синусоїдальних рельєфних решіток на поверхні GaAs. Крім того, оптимізовано їх параметри. Обрано оптимальні періоди решіток. Отримано залежності ефективності дифракції від поверхні модуляції рельєфу для різних довжин хвиль. Встановлено, що максимальна ефективність решітки спостерігається при відношенні глибини поверхні рельєфу до періоду, який приблизно дорівнює 1:10. Для запису рельєфних решіток використовували лазер Nd: YAG на другій гармоніці (532 нм) з максимальною потужністю 100 мВт. Для вивчення рельєфу решіток був використаний атомно-силовий мікроскоп. Показано, що легування GaAs телуром призводить до сильного розвитку морфології поверхні та більшої глибини модуляції поверхні напівпровідника.