Browsing by Subject "535.37:537.311.33"
Now showing 1 - 2 of 2
- Results Per Page
- Sort Options
Item Деформаційна залежність енергії утворення 2s-екситона у напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Пелещак, P. M.; Романів, І. Б.; Національний університет "Львівська політехніка"В рамках моделі еквівалентного гамільтоніана розглянуто спосіб розрахунку енергії утворення 2 s-екситона в одиничній напруженій квантовій ямі з врахуванням не тільки квантово-розмірних, а й деформаційних ефектів, що виникають в епітаксійних шарах через неузгодженість параметрів ґраток двох кристалічних структур ~4 %. Товщини нарощуваних шарів лежать в межах дії пружних деформацій. Досліджено вплив всебічної та одновісної деформації в епітаксійному шарі ZnSe в гетероструктурі ZnSe/ZnS на довжину хвилі, яка відповідає максимуму інтенсивності 1s- та 2 s-екситонів біля краю основної полоси поглинання. Проведено порівняння отриманих результатів з експериментальними даними, отриманими зі спектрів низькотемпературної фотолюмінесценції. In the frame of the equivalent hamiltonian model the calculation method of the 2s-exciton formation energy in the single quantum well is represented. It was take into consideration not only the quantum confinement, but also the deformation effects caused in the epitaxial layers by the lattice mismatch both crystalline structures ~4 %. The thicknesses of the grown layers is in the limit of the elastic strains. The effect of the hydrostatic and the nonhydrostatic strains in the ZnSe epitaxial layer in the ZnSe/ZnS heterostructure on the wavelength which corresponds to the 1s- and 2s-excitons maximum of the intensity near the edge of the main absorption line was investigated. The comparison of these results with the experimental values that was obtain from the law temperature photoluminescence spectra is carried out.Item Особливості структурних та магнітних властивостей сплавів систем Si - Ni та Ge - Ni, багатих на відповідно кремній і германій(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Цмоць, В. М.; Штим, B. C.; Павловський, Ю. В.; Спільна науково-дослідна лабораторія матеріалів твердотільної мікроелектроніки АН та Міністерства освіти і науки України при Дрогобицькому державному педагогічному університеті ім. Ів. Франка.У роботі наведені результати комплексного дослідження Si-Ni і Ge-Ni полі- кристалічних сплавів, багатих на відповідно кремній і германій. Шляхом вимі¬рювання статичної магнітної сприйнятливості (МС, $) і мікротвердості (Нц), проведення рентгенівського та мікроструктурного аналізів цих сплавів показано залежність МС і мікроструктури від термічних обробок. Інтерпретація одержаних результатів проводиться з врахуванням наявності у зазначених сплавах донорно - акцепторних комплексів і магнітного впорядкування електронних спінів на дислокаційних структурах. In the present paper the results of complex investigation of Si-Ni and Ge-Ni polycrystals alloys rich in silicon and germanium respectively are presented. Measuring a static magnetic susceptibility ^S, $) and microhardnesses (Н), realizing x-ray and microstructural analyses of these alloys shows the dependence of МS and micro¬structures on the thermal treatment. Interpretation of the obtained results is carried out accounting for the presence in the above mentioned alloys of donor-acceptor complexes and magnetic ordering of electronic spins on dislocation structures.