Електроніка. – 2012. – №734

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/16031

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – № 734 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 187 с. : іл.

Browse

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Халькогенідні стекла для високонадійних сенсорів температури
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Чалий, Д.; Шпотюк, М.
    У роботі повідомляється про принципову можливість застосування халькогенідних стекол як активних середовищ для високонадійних сенсорів температури. Всі дослідження виконані на прикладі халькогенідного скла Ge18As18Se64, яке є типовим представником ковалентних сіткових стекол із жорсткою структурою. З використанням диференціальної сканувальної калориметрії показано, що два роки витримки цих стекол за нормальних умов не призводять до зміни їх калориметричних властивостей (температури переходу скло–переохолоджена рідина та площі ендотермічного піка). Встановлено, що температурна залежність оптичного пропускання в області краю фундаментального оптичного поглинання має квазі-лінійний характер у діапазоні від кімнатної температури до переходу скло–переохолоджена рідина. In this paper we report on the possibility of application of chalcogenide glasses as active media in high-reliable temperature sensors. All investigations were performed on the example of Ge18As18Se64 chalcogenide glasses as typical covalent network glass with rigid structure. Using differential scanning calorimetry it was shown that 2 years of natural storage of these glasses does not lead to the drift of their calorimetric properties (glass transition temperature and endothermic peak area). It was shown that temperature dependence of optical transmission in the fundamental optical absorption edge region is quasi-linear in the region from room temperature to the glass transition.
  • Thumbnail Image
    Item
    Властивості тонких плівок AgSbSe2 для термоелектричних перетворювачів
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Рудий, О. І.; Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.
    Наведено результати досліджень структури та оптичних властивостей тонких плівок AgSbSe2. Методом імпульсного лазерного осадження у вакуумі 1×10-5 Торр в інтервалі температур 300–473 K отримано плівки різної товщини на підкладках зі скла, Al2O3 та KCl. Товщина плівок становила 0,5–1 мкм залежно від кількості імпульсів лазера. Структуру масивного матеріалу мішені досліджено методом Х-променевої дифрактометрії, а плівок – методом дифракції електронів високих енергій на проходження. Досліджено оптичне пропускання та оптичне поглинання плівок AgSbSe2, осаджених за різних температур. Досліджено термоелектричні властивості плівок. The results of experimental investigation of structural and optical properties of AgSbSe2 films are presented in this work. The films of AgSbSe2 of different thickness were obtained on Al2O3, glass and KCl substrates in vacuum of 1×10-5 Torr by the pulsed laser deposition method. The samples were obtained by the substrate temperature 300–473 K. A thickness of films was in the range of 0.5–1 μm depending on the number of laser pulses. The structure of target bulk materials was investigated by X-ray diffraction method. A structure of laser deposited films was investigated by the transmission high-energy electron diffraction method. The light transmission and absorption spectra of AgSbSe2 deposited at various temperatures fil ms were investigated.