Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
3 results
Search Results
Item Структура та електропровідність спресованих матеріалів на основі оксиду цинку(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Фружинський, М. С.; Фадєєв, С. В.; Вірт, І. С.; Гадзаман, І. В.Досліджено структурні та електричні властивості спресованих твердих розчинів Zn1-xMnxO, Zn1-xCoxO та Zn1-xCrxO, отриманих за методом твердофазних реакцій. За методом рентгенівської дифрактометрії проведено фазовий аналіз та досліджено структуру зразків. За допомогою методу скануючої електронної мікроскопії встановлено середні розміри зерен зразків на основі ZnO та виконано рентгеноспектральний аналіз їх елементного складу. Температурні залежності питомого опору порошкових матеріалів вимірювали в температурному інтервалі 300–555 К. Одержано значення енергій активації в різних інтервалах температур, які відповідають донорним енергетичним рівням. Structural and electric properties of compressed solid solution Zn1-xMnxO, Zn1-xCoxOт and Zn1-xCrxO, obtained by a method solid-state reactions have been (were) investigated. The structure and the phase compositions of the samples were investigated by X-ray diffraction method. The average sizes of grains of sintered samples on the basis of ZnO and the analysis of their element structure was measured using by scanning electron microscopy. Temperature dependences of unit-area (specific) resistance of powder materials was measured in the temperature range 300–555 K. The values energy activation in various intervals of temperatures which correspond to donor power levels were received.Item Деградаційні процеси в температурно-чутливих товстоплівкових структурах(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Клим, Г. І.; Балицька, В. О.; Гадзаман, І. В.; Шпотюк, О. Й.Досліджено кінетичні залежності термоіндукованого дрейфу електричного опору в одно- та мультирівневих температурно-чутливих товстоплівкових структурах на основі змішаних манганітів Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (з p+-типом електричної провідності) та Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (з p-типом електричної провідності). Встановлено, що в досліджуваних товстих плівках р- та p+-типу активуються процеси вигорання залишків органічної зв'язки між зернами шпінелі та одночасне проникнення в простір металевого срібла. Такі процеси описуються стисненою експоненціально-степеневою релаксаційною функцією. Для товстоплівкових р+-р структур характерні власні деградаційні процеси, які проявляються у збільшенні електричного опору, а кінетика їх термоіндукованого старіння адекватно описується розширеною експоненціально-степеневою функцією. The kinetics dependences of thermoinducational drift of electrical resistance in single-and multilayered temperature-sensitive thick-film structures based on mixed manganices Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (with p+-types of electrical conductivity), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (with ptypes of electrical conductivity) are investigated. It is established, that two interconnected processes are activated during degradation test in p- and p+-type thick film - the burning-out of remainders of organic binder between contacting spinel grains with simultaneous Ag penetration into appeared free-volume space. The own degradation processes in thick-film р+-р structures show up in the increase of electric resistance. Their degradation kinetics are adequately described by the extended exponential-power-like relaxation function.Item Наноструктуровані температурно- та вологочутливі сенсорні структури на основі шпінельної кераміки(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Клим, Г. І.; Гадзаман, І. В.; Шпотюк, О. Й.Проаналізовано можливості одержання наноструктурованих температурно- та вологочутливих товстоплівкових структур на основі напівпровідникової та діелектричної кераміки різних хімічних складів Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (з p+-типом електричної провідності), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (з p-типом електричної провідності) та діелектричної кераміки MgAl2O4 (і-тип). Показано, що температурночутливі товсті плівки мають чутливість на ділянці температур від 298 до 368 К, а вологочутливі – на ділянці відносних вологостей від 40 до 98 %. Одержані товстоплівкові структури можна успішно застосовувати для одержання інтегрованих температурно-, вологочутливих сенсорів моніторингу та контролю навколишнього середовища. Nanostructured temperature and humidity-sensitive thick-film structures based on spinel-type semiconducting and dielectric ceramics of different chemical composition Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (with p+-types of electrical conductivity), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (with ptypes of electrical conductivity) and insulating (i-type) MgAl2O4 ceramics were fabricated and studied. It is shown that temperature-sensitive thick films possess sensitivity in the region from 298 to 358 K and humidity-sensitive thick films are sensitive from 40 to 98 %. Obtained thickfilm structures can be successfully applied for integrated temperature-humidity sensors of environmental monitoring and control.