(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Невзоров, В. В.; Смеркло, Л. М.; Дорош, Н. В.; Національний університет "Львівська політехніка"
Досліджено вплив методу стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію на порогову напругу ДМОН транзисторів. Показано, що метод стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію покращує відтворюванність порогової напруги і підвищує пробивну напругу окислу. The influence of a method of etch removal of silicon thin surface layer on threshold voltage of DMOSFETs is investigated. It is shown, that the method of etch removal of silicon thin surface layer improves repeatability of threshold voltage and increases oxide breakdown voltage.
