Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Можливість виявлення потенційно ненадійних елементів електроніки
    (Видавництво Львівської політехніки, 2018-02-26) Колодій, З. О.; Крук, О. Г.; Kolodiy, Z.; Kruk, O.; Національний університет «Львівська політехніка»; Lviv Polytechnic National University
    Наведено результати комп’ютерного моделювання власного шуму елемента електроніки (ЕЕ) для різних моделей його внутрішньої структури. Наведено результати експериментальних досліджень власного шуму ЕЕ в діапазоні низьких частот, які підтверджують результати комп’ютерного моделювання, а саме: вищий рівень шуму в діапазоні низьких частот мають ті ЕЕ, у внутрішній структурі яких більше дефектів. Наведено аналітичний вираз енергетичного спектра власного шуму ЕЕ, у якому параметр τ залежить від особливостей внутрішньої структури ЕЕ. Показано, що виявлення потенційно ненадійних елементів можна здійснювати або за рівнем їхнього власного шуму в діапазоні низьких частот, або за значенням параметра τ.
  • Thumbnail Image
    Item
    Флікер-шум елементів електроніки
    (Видавництво Львівської політехніки, 2011) Колодій, З. О.
    Проведено експериментальні дослідження флікер-шуму резисторів типу МЛТ-0,125 та С-2-23 з різною потужністю розсіяння та діодів типу 2D503А. Виявлено зростання рівня шумів на низьких частотах із зменшенням потужності розсіяння резисторів. На основі експериментальних результатів визначено час релаксації τ резисторів та діодів. За відомим значенням τ можна визначити рівень власних шумів елементів електроніки в практичному діапазоні частот від f1 → 0 до f2 =1·109 Гц. Experimental researches of licker-noise of resistors such as MLT-0,125 and С-2-23 with different power dispersion and diodes of 2D503А type were performed. It was found the growth of noises level on low requencies with diminishing of resistors dispersion power. Relaxation time τ of resistors and diodes was found based on the experimental results. Based оn known value of τ it is possible to figure out the level of own noises of electronic elements in the ractical range of frequencies from f1 → 0 to f2 =1·109 Hz.