Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
3 results
Search Results
Item Критерій вибору глибини кулонової потенціальної ями в кремнії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Сиротюк, С. В.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.; Syrotyuk, S. V.; Kraevsky, S. N.; Kynash, Yu. E.; Національний університет “Львівська політехніка”; Український державний лісотехнічний університетРозраховані електронні енергетичні спектри кремнію за допомогою аналітичної апроксиманти повного потенціала атома у прямому просторі , яка враховує скінченність кулонової ями в околі ядра атома. Досліджена залежність розрахованих зонних енергій від єдиного параметра β, який визначає глибину ями. Розрахунки зонних енергій електронів зроблені з різними значеннями цього параметра. Виведений наближений критерій вибору значення β для різних атомів. Матриця гамільтоніана розраховувалась у змішаному базисі одночастинкових станів, що складається з функцій Блоха атомних серцевин і плоских хвиль. Якісно встановлені причини дисперсії розрахованих параметрів електронних енергетичних зон за допомогою різних псевдопотенціалів, обґрунтованих у теорії функціонала повної електронної густини.Item Електронна енергетична структура твердих розчинів SixGe1-x(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Сиротюк, C. B.; Кинаш, Ю. Є.; Краєвський, С. Н.; Національний університет "Львівська політехніка"Розраховано електронні енергетичні спектри Si, Ge і твердих розчинів SixGe1-x у наближенні функціонала локальної електронної густини. Матриця гамільтоніана обчислювалась у змішаному базисі, який включає функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії Si і Ge краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдо- потенціалів. Виявлено, що в околі концентрації Si x=0,25 зонні енергії електронів провідності у долинах L1c та X1c відрізняються тільки на соті частки еВ, тобто отримується багатодолинний напівпровідник, у якому ширина забороненої зони менша від аналогічної у чистому Si, але більша від такої у чистому Ge. The electronic energy bands of Si, Ge and solid solutions SixGe1-x have been evaluated by means of the local electronic density functional approximation. The Hamiltonian matrix has been calculated on mixed basis including the core Bloch states and plane waves. The band energies in Si and Ge obtained here are in better agreement with experiment than ones calculated within the atomic norm-conserving ab initio pseudopotential approach. We found that in the vicinity of Si concentration x=0.25 the band energies of conduction electrons at L1c and X1c differs each other by 10-2 eV, and therefore we deal with multivalley semiconductor, in which the band gap is less than in pure Si and greater than in pure Ge.Item Прискорені алгоритми розрахунку законів дисперсії на змішаному базисі в GaAs(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Сиротюк, С. В.; Кинаш, Ю. Є.; Краєвський, С. Н.; Різак, В. Л.; Національний університет "Львівська політехніка"Виведені і реалізовані прискорені алгоритми розрахунку матриці гаміль-тоніана кристала на змішаному базисі одноелектронних станів. Доведена їхня перевага над традиційним підходом, що ґрунтується на розкладі кристалічного потенціалу в ряд Фур’є. The accelerated algorithms for crystal Hamiltonian matrix calculation within the mixed basis of single-particle states have been derived and implemented. Their advantage over traditional approach grounded on the Fourier series development of crystal potential has been proved.