Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
3 results
Search Results
Item Система моніторингу магістральних трубопроводів на основі кремнійових тензоперетворювачів(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Корецький, Р. М.; Нічкало, С. І.; Вуйцик, А. М.Розроблено автоматизовану безпровідну систему для попереднього моніторингу напружено-деформаційного стану ділянок магістральних трубопроводів. Оскільки більша частина відмов магістральних трубопроводів припадає на області інтенсивних пластичних деформацій, то їхній контроль у віддалених районах викликає значне зацікавлення. Одним із варіантів вирішення цього завдання є вимірювальна система на основі сенсорів деформації, в яких чутливими елементами є ниткоподібні кристали кремнію. The paper describes the constructed automated wireless monitoring system for stressstrain state of main pipelines (MP). Since the most damages occur in the MP region of intense plastic deformation, their remote control in such areas is in significant interest, and as a solution it was proposed the measuring system based on Si whisker sensitive elements.Item Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Нічкало, С. І.Вивчено особливості росту ансамблю нанодротин кремнію методом хімічної газофазової епітаксії у відкритій транспортній системі. Згідно з ПРК-механізмом ріст нанодротин відбувався з використанням реагуючих речовин SiCl4 та H2 і золота як ініціатора росту. Проведено моделювання кінетики росту ниткоподібних кристалів кремнію. The paper deals with a study of growth peculiarities of Si nanowires array by CVD method in open system. The wires were grown from SiCl4 and H2 precursources using Au as the initiator of growth according to VLS mechanism. Mathematical simulation of silicon nanowires growth kinetics was performed.Item Магнетоопір ниткуватих кристалів Si-Ge з концентрацією домішки в околі концентраційного переходу метал-діелектрик за кріогенних температур(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Когут, Ю. Р.; Нічкало, С. І.Наведено результати дослідження магнетоопору ниткуватих кристалів (НК) Si-Ge з вмістом Ge 1–5 ат.%, легованих домішкою В та комбінацією B+Hf до концентрацій 1017–5·1018 см-3, за низьких температур 4,2–77 К та сильних магнітних полів до 14 Тл. Показано, що характер залежностей магнетоопору від магнітного поля істотно відрізняється для зразків з різною концентрацією легуючої домішки. Висловлено припущення, що введення домішки Hf у ростову шихту сприяє очищенню НК Si-Ge від домішки бору, який входив в НК під час росту. The paper contains results of investigation of magnetoresistance (MR) for Si-Ge whiskers with 1–5 % Ge content doped with B and B+Hf impurities up to concentrations 1017–5·1018 cm-3 at low temperatures 4,2–77K in high magnetic field up to 14T. A character of MR dependency on magnetic field intensity was shown to differ substantially for samples with various doping impurities concentrations. It has been assumed that introducing of Hf impurity into the growth tube leads to purification of Si-Ge whiskers from doping impurity during the growth.