Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
2 results
Search Results
Item Дослідження кінетичних характеристик чутливих елементів термоперетворювачів на основі Ti1-xMoxCoSb(Видавництво Львівської політехніки, 2019-02-28) Крайовський, В. Я.; Рокоманюк, М. В.; Ромака, В. А.; Ромака, Л. П.; Стадник, Ю. В.; Горинь, А. М.; Krayovskyy, Volodymyr; Rokomanyuk, Mariya; Romaka, Volodymyr; Romaka, Lyubov; Stadnyk, Yuriy; Horyn, Andriy; Національний університет “Львівська політехніка”; Львівський національний університет ім. І. Франка; Lviv Polytechnic National University; Ivan Franko National University of LvivВиконано математичне моделювання та експериментальні вимірювання кінетичних та енергетичних характеристик чутливих елементів термоперетворювачів на основі термометричного матеріалу Ti1-xMoxCoSb у діапазоні температур 80–400 К. Попередні дослідження електрофізичних, енергетичних та структурних властивостей термометричних матеріалів, отриманих легуванням напівгейслерової фази TiCoSb атомами Ni та V, відповідно, показали, що вони володіють стабільними та відтворюваними характеристиками у температурному діапазоні 4,2–1000 К. Встановлено, що результати моделювання термометричних характеристик чутливих елементів на основі TiCo1-xNixSb та Ti1-xVxCoSb не узгоджувалися з результатами експериментальних вимірювань, що унеможливило їхнє використання для виготовлення чутливих елементів термометрів опору та термоелектричних перетворювачів. Моделювання електронної структури термометричних матеріалів Ti1-xMoxCoSb методом функцій Гріна (метод Корінги–Кона–Ростокера (KKR)) у наближенні когерентного потенціалу (Coherent Potential Approximation) та локальної густини (Local Density Approximation) з використанням ліцензованого програмного забезпечення AkaiKKR та SPR-KKR для обмінно- кореляційного потенціалу з параметризацією Moruzzi-Janak-Williams показало, що заміщення атомів Ti на Mo генерує у кристалі структурні дефекти донорної природи (у Mo більше 3d-електронів, ніж у Ti), а в забороненій зоні поблизу зони провідності εС утворюється домішковий донорний рівень (зона) 2D e. Експериментальні вимірювання електрокінетичних характеристик термометричних матеріалів Ti1-xMoxCoSb встановили наявність високотемпературних активаційних ділянок на залежностях питомого опору ln(ρ(1/T)), що вказує на розташування рівня Фермі εF у забороненій зоні напівпровідника, а це можливо за умови генерування акцепторів, які захоплюють вільні електрони, зменшуючи їхню концентрацію, та гальмують рух рівня Фермі εF до рівня протікання зони провідності εС. Отже, легування сполуки TiCoSb домішкою Mo призводить до генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Встановлено механізми електропровідності чутливих елементів термоперетворювачів.Item Прогнозування та реалізація термоелементів електрорезистивних та термоелектричних термометрів на основі n-HfNiSn(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Крайовський, В. Я.; Ромака, В. А.Встановлено закономірності функцій перетворення електрорезистивних та термо- електричних термоелементів на основі термометричного матеріалу n-HfNiSn зі стабіль- ними та відтворюваними характеристиками у температурному діапазоні 4,2÷1600 К. Established patterns of transformation functions of electrical resistance and thermoelectric thermoelements based on thermometric material n-HfNiSn with stable and reproducible characteristics in the temperature range 4,2÷1600 K.