Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
3 results
Search Results
Item Структура та електропровідність спресованих матеріалів на основі оксиду цинку(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Фружинський, М. С.; Фадєєв, С. В.; Вірт, І. С.; Гадзаман, І. В.Досліджено структурні та електричні властивості спресованих твердих розчинів Zn1-xMnxO, Zn1-xCoxO та Zn1-xCrxO, отриманих за методом твердофазних реакцій. За методом рентгенівської дифрактометрії проведено фазовий аналіз та досліджено структуру зразків. За допомогою методу скануючої електронної мікроскопії встановлено середні розміри зерен зразків на основі ZnO та виконано рентгеноспектральний аналіз їх елементного складу. Температурні залежності питомого опору порошкових матеріалів вимірювали в температурному інтервалі 300–555 К. Одержано значення енергій активації в різних інтервалах температур, які відповідають донорним енергетичним рівням. Structural and electric properties of compressed solid solution Zn1-xMnxO, Zn1-xCoxOт and Zn1-xCrxO, obtained by a method solid-state reactions have been (were) investigated. The structure and the phase compositions of the samples were investigated by X-ray diffraction method. The average sizes of grains of sintered samples on the basis of ZnO and the analysis of their element structure was measured using by scanning electron microscopy. Temperature dependences of unit-area (specific) resistance of powder materials was measured in the temperature range 300–555 K. The values energy activation in various intervals of temperatures which correspond to donor power levels were received.Item Структурні та оптичні властивості тонких плівок ZnO ТА ZnMnO(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.; Потера, П.; Лука, Г.Наведено результати досліджень структури та оптичних властивостей тонких плівок ZnO та ZnMnO. Методом імпульсного лазерного осадження в інтервалі температур 300–473 K отримано плівки різної товщини на підкладки зі скла, Al2O3 та KCl у вакуумі 1×10-5 Торр. Товщина плівок становила 0.5–1 мкм залежно від числа імпульсів лазера. Структуру масивного матеріалу мішені досліджено методом Х-променевої дифрактометрії. Структуру плівок досліджували методом дифракції електронів високих енергій на проходження. Досліджено оптичне пропускання, оптичне поглинання та фотолюмінесценцію плівок ZnO та ZnMnO, осаджених за різних температур. The results of experimental investigation of structural and optical properties of ZnO and ZnMnO films are presented in this work. The films of ZnO and ZnMnO of different thickness were obtained on Al2O3, glass and KCl substrates in vacuum of 1×10-5 Torr by the pulsed laser deposition method. The samples were obtained by the substrate temperature 300–473 K. A thickness of films was in the range of 0.5–1 μm depending on the number of laser pulses. The structure of target bulk materials was investigated by X-ray diffraction method. A structure of laser deposited films was investigated by the transmission high-energy electron diffraction method. The light transmission, absorption and photoluminescence spectra of ZnO and ZnMnO deposited at various temperatures films were investigated.Item Структура та електричні властивості тонких плівок Bi2Te3, Sb2Te3 та надструктур Bi2Te3 / Sb2Te3, отриманих імпульсним лазерним осадженням(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.; Шкумбатюк, Т. П.Тонкі плівки Bi2Te3, Sb2Te3 та надрешітки Bi2Te3 / Sb2Te3 змінної товщини отримано за допомогою імпульсного лазерного осадження. Плівки осаджували на підкладки Al2O3 та KCl у вакуумі 1×10-5 мм. рт. ст. за температур 453–523 K. Товщина плівок становила 0.5–1 мкм. Досліджено структуру об’ємного матеріалу мішеней за допомогою методу рентгенівської дифрактометрії. Структуру отриманих плівок досліджено за допомогою методу дифракції електронів високої енергії на просвіт. Питомий опір плівок різної товщини вимірювали в температурному інтервалі 77–300 K. Thin films Bi2Te3, Sb2Te3 and superlattices structures Bi2Te3 / Sb2Te3 of different thickness have been prepared on Al2O3 and KCl substrate in vacuum of 1×10-5 Torr by pulsed laser deposition. Samples were obtained when the substrate temperature was 453–523 K. A thickness of films obtained in the range of 0.5–1 μm, depending on a number of shots. The structure of bulk materials of target was investigated by X-ray diffraction method. The structure of laser deposited films was investigated by transmission high-energy electron diffraction method. Electrical resistivity was measured in the temperature range 77–300 K.