Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Спектроскопія активованих міддю низькорозмірних шаруватих кристалів йодистого кадмію
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Рудка, М.
    Подано експериментальні результати дослідження оптико-люмінесцентних властивостей шаруватих низькорозмірних матеріалів Ссі,7 2. активованих фотохромною домішкою міді в концентрації до 1 мол.%. На основі отриманих даних та з врахуванням літературних відомостей проведено квантовомеханічний розрахунок енергетичних положень локальних рівнів Зсі-термів міді в кристалічному полі йодистого кадмію й ідентифіковано домішкові. The experimental results of optics and luminescence property studies for copper activated low-dimensional layered crystals CdJ2 are presented. Taking into consideration the data and literature sources the quantum-mechanical calculation of energetic positions for 3 d term local levels of copper in the crystal field of cadmium iodide is carried out and the absorption dopant
  • Thumbnail Image
    Item
    Прикрайова фотопровiднiсть шаруватих кристалiв йодистого кадмiю
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Рудка, М.
    Показано, що в шаруватих монокристалах CdJ2 в областi краю їх фундаментального поглинання вирiшальну роль в фотопровiдностi та люмiнесценцiї вiдiграють дефекти структури, нерiвноважнi генетичнi електронно-дiрковi паритафонони. Фотопровiднiсть йодистого кадмiю за цих умов контролюється рiвнями захоплення рiзної глибини для носiїв заряду за умов екситон-фононного збудження. Нижче температури за 130К у фотопровiдностi йодистого кадмiю домiнують нерiвноважнi електрони , а вище за 150К - нерiвноважнi дiрки. У провiдностi CdJ2 вище за 200 К присутня також прогресуюча з температурою iонна складова. It is shown that decisive role in photoconductivity and luminescence of layered crystals Cd J2 near absorption edge appertain to defects of structure, nonequilibrium genetic electron-hole pairs and phonons. it is obtain that nonequilibrium electrons are prevail in photoconductivity at T< 130 K, and nonequilibrium holes - at T>150 K. At conductivity Cd J2 above T = 200 K are also progressing with themperature ionic component presented.