Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
5 results
Search Results
Item Модифікація електрофізичних властивостей епітаксійних шарів РbТе в умовах низькоенергетичного бомбардування(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Берченко, M. M.; Богобоящий, В. В.; Іжнін, І. І.; Савицький, Г. В.; Юденков, В. О.; Національний університет “Львівська політехніка”; Кременчуцький державний політехнічний інститут; Львівський науково-дослідний інститут матеріалів НВП “Карат”Вперше експериментально досліджено вплив низькоенергетичних іонів Аг в процесі іонно-променевого травлення (ІПТ) на електрофізичні властивості епітаксійних шарів РbТе p-типу та n-типу провідності. Показано, що така обробка призводить до p-n конверсії типу провідності в р-РbТе та зростаннюя концентрації електронів в n-РЬТе при зменшенні їх рухливості. Зміни властивостей відбуваються по усій товщині епітаксійних шарів (приблизно 2 мкм). Характер змін електрофізичних властивостей свідчить про введення в процесі ІПТ додаткових донорних центрів, пов’язаних з виникненням надлишкового свинцю. Механізми перебудови системи дефектів в РbТе при ІПТ докорінним чином відрізняється від таких у CdxHg1-xTe. The influence of low energy Ar ions under ion beam milling (IBM) on electrical properties of p-and n-type conductivity of the PbTe epitaxial layers was experimentally investigated for the first time. It has been shown that such treatment causes the p-n type conductivity conversion in p-PbTe and increasing of electron concentration in n- PbTe at decreasing their mobility. The property modification takes place at whole depth of epitaxial layers (approximately 2 µm). The electrical properties change behavior evidences the introducing under IBM the additional amount of donor centers connected with lead excess. The mechanism of defect rebuilding in PbTe under IBM distinguishes radically from the same in CdxHg1-xTe.Item Особливості парофазного та твердофазного легування шарів CdHgTe під час епітаксії(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Власов, А. П.; Бончик, О. Ю.; Кияк, С. Г.; Савицький, Г. В.; Сімків, Б. О.; Заплітний, Р. А.Проаналізовано ефективність легування вузькощілинних епітаксійних шарів CdHgTe акцепторною домішкою під час ізотермічної епітаксії в замкненому об’ємі методом ВКД (випаровування-конденсація-дифузія) при використанні парового та твердофазного джерел арсена. Ефективність легування оцінювали порівнянням результатів мас-спектрометрії вторинних іонів і гальваномагнітних досліджень. Для контролю структурної досконалості одержаних експериментальних зразків застосовано неруйнівний рентгеноструктурний аналіз. Показано, що контрольованість легування арсеном під час епітаксійного нарощування cdhgte досягається при використанні твердофазного джерела домішки. The analysis of doping efficiency of narrow gap CdHgTe epitaxial layers by acceptor dopant in the process of isothermal growth in closed volume by the ECD (evaporationcondensation- diffusion) method using vapour and solid state sources of arsenic is performed. Doping efficiency was estimated by comparison of SIMS and galvanomagnetic investigations’ results. Structural perfection of the obtained experimental samples was controlled by means of non-destructive X-ray diffraction analysis. It is shown that precise control over the process of arsenic doping during epitaxial growth of CdHgTe can be achieved when using solid state source of impurity.Item Часова стабільність CdXHg1-XTe p-n структур, сформованих іонно-променевим травленням(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Богобоящий, В. І.; Іжнін, І. П.; Савицький, Г. В.; Юденков, В. О.Досліджено довгочасові (10 років) та короткочасові (4 місяців) релаксації електрофізичних параметрів p-n структур, створених іонно-променевим травленням (ІПТ) на вакансійно-легованих епітаксійних плівках p-CdXHg1-XTe, при зберіганні їх при кімнатній температурі. Виявлено різний характер релаксації електричних параметрів створених ІПТ порушеного шару та основного конвертованого n-шару.Релаксація параметрів порушеного шару пов'язується з самовідпалом радіаційних структурних дефектів,створених під час іонного бомбардування. Релаксація властивостей основного об'єму конвертованого шару пов'язана з наявністю в досліджених зразках неконтрольованих акцепторних домішок I, V гупи, тобто з розпадом створених в процесі ІПТ донорних дефектів, пов'язаних з такими домішками. Показано,що переважно релаксація параметрів відбувається протягом перших 4-5 місяців, після чого параметри структур стабілізуються і зберігаються упродовж 10 років. The long (10 years) and the short time (4 months) relaxation of p-n structures electrical parameters by ion beam (IBM) in vacancy-doped epitaxial films p-CdXHg1-XTe were investigated. It was revealed the different character of relaxation of the electrical parameters created by IBM of damaged layer and of n-layer main volume. The relaxation of parameters of damage layer is due to self-annealing of structural defects created durig ion bombardment. The relaxation of parameters of converting layer's main volume is due to presents in the samples residual acceptor dopants of the I, V groups so with dissociation of donor defects associated with this dopants and created during IBM. It was shown that parameters relaxation mainly occur at the first 4-5 month, afther that parameters of the structures become stabilize.Item Експериментальне дослідження струмового відгуку ферозондового перетворювача зі збудженням дискового осердя магнітним полем, що обертається в його площині(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Павлик, Л. П.; Убізський, С. Б.; Лозинський, А. Б.; Савицький, Г. В.Побудовано модель відгуку ферозонда з обертальним перемагнічуванням ізотропного дискового осердя під час збудження від джерела гармонічної напруги на дію магнітного поля у площині осердя. Підтверджено, що реєстрацію компонент вимірюваного поля можна здійснювати за гармонічним складом струму в котушці збудження. Наводяться результати вимірювання залежності чутливості для різних частот збудження від його амплітуди, які добре узгоджуються з розрахунковими. The response model of the fluxgate with rotation magnetization reversal of isotropic disk core under harmonic voltage driving excitation has been developed at presence of target magnetic field in the core disk plane. It was confirmed that the target field components could be registered by the harmonic content of the excitation coil current. Results of the experimental measurement of the fluxgate sensitivity dependences upon the excitation field amplitude at different frequencies are presented and they coincide well with calculated ones.Item Аналіз реактивного кола збудження ферозонда з обертальним перемагнічуванням дискового осердя(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Павлик, Л. П.; Убізський, С. Б.; Лозинський, А. Б.; Савицький, Г. В.Проведено аналіз режимів роботи ферозонда з обертальним перемагнічуванням ізотропного дискового осердя під час збудження від джерела гармонічної напруги та побудовано модель відгуку на компоненти вимірюваного магнітного поля у площині дискового осердя. Встановлено, що реєстрацію компонент вимірюваного поля можна здійснювати за гармонічним складом струму на котушці збудження. За умови, що частота збудження удвічі менша за резонансну частоту контуру збудження, чутливість ферозонда квадратично зростає з частотою і може перевищувати чутливість ферозонда у режимі збудження струмом. При цьому зникає необхідність у вимірювальній котушці, що спрощує конструкцію ферозонда. Розроблена модель дає змогу оцінити потенційну чутливість ферозонда та оптимізувати параметри його конструкції. The operation modes’ analysis of fluxgate with rotation magnetization reversal of isotrope disk core under harmonic voltage driving excitation is curried out and the response model is developed at presence of target magnetic field in the core disk plane. It was established that the target field components could be registered by the harmonic content of the excitation coil current. At condition that the excitation frequency is twice less than the resonance frequency of excitation circuit the fluxgate sensitivity rises quadratically and can exceed the sensitivity in the current driving excitation mode. At this the necessity in pick-up coils disappears that simplifies the fluxgate construction. The developed model allows estimating a potential performance of fluxgate and optimizing its construction parameters.