Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Search Results

Now showing 1 - 5 of 5
  • Thumbnail Image
    Item
    Структура та електропровідність спресованих матеріалів на основі оксиду цинку
    (Видавництво Львівської політехніки, 2010) Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Фружинський, М. С.; Фадєєв, С. В.; Вірт, І. С.; Гадзаман, І. В.
    Досліджено структурні та електричні властивості спресованих твердих розчинів Zn1-xMnxO, Zn1-xCoxO та Zn1-xCrxO, отриманих за методом твердофазних реакцій. За методом рентгенівської дифрактометрії проведено фазовий аналіз та досліджено структуру зразків. За допомогою методу скануючої електронної мікроскопії встановлено середні розміри зерен зразків на основі ZnO та виконано рентгеноспектральний аналіз їх елементного складу. Температурні залежності питомого опору порошкових матеріалів вимірювали в температурному інтервалі 300–555 К. Одержано значення енергій активації в різних інтервалах температур, які відповідають донорним енергетичним рівням. Structural and electric properties of compressed solid solution Zn1-xMnxO, Zn1-xCoxOт and Zn1-xCrxO, obtained by a method solid-state reactions have been (were) investigated. The structure and the phase compositions of the samples were investigated by X-ray diffraction method. The average sizes of grains of sintered samples on the basis of ZnO and the analysis of their element structure was measured using by scanning electron microscopy. Temperature dependences of unit-area (specific) resistance of powder materials was measured in the temperature range 300–555 K. The values energy activation in various intervals of temperatures which correspond to donor power levels were received.
  • Thumbnail Image
    Item
    Властивості тонких плівок AgSbSe2 для термоелектричних перетворювачів
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Рудий, О. І.; Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.
    Наведено результати досліджень структури та оптичних властивостей тонких плівок AgSbSe2. Методом імпульсного лазерного осадження у вакуумі 1×10-5 Торр в інтервалі температур 300–473 K отримано плівки різної товщини на підкладках зі скла, Al2O3 та KCl. Товщина плівок становила 0,5–1 мкм залежно від кількості імпульсів лазера. Структуру масивного матеріалу мішені досліджено методом Х-променевої дифрактометрії, а плівок – методом дифракції електронів високих енергій на проходження. Досліджено оптичне пропускання та оптичне поглинання плівок AgSbSe2, осаджених за різних температур. Досліджено термоелектричні властивості плівок. The results of experimental investigation of structural and optical properties of AgSbSe2 films are presented in this work. The films of AgSbSe2 of different thickness were obtained on Al2O3, glass and KCl substrates in vacuum of 1×10-5 Torr by the pulsed laser deposition method. The samples were obtained by the substrate temperature 300–473 K. A thickness of films was in the range of 0.5–1 μm depending on the number of laser pulses. The structure of target bulk materials was investigated by X-ray diffraction method. A structure of laser deposited films was investigated by the transmission high-energy electron diffraction method. The light transmission and absorption spectra of AgSbSe2 deposited at various temperatures fil ms were investigated.
  • Thumbnail Image
    Item
    Структурні та оптичні властивості тонких плівок ZnO ТА ZnMnO
    (Видавництво Львівської політехніки, 2011) Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.; Потера, П.; Лука, Г.
    Наведено результати досліджень структури та оптичних властивостей тонких плівок ZnO та ZnMnO. Методом імпульсного лазерного осадження в інтервалі температур 300–473 K отримано плівки різної товщини на підкладки зі скла, Al2O3 та KCl у вакуумі 1×10-5 Торр. Товщина плівок становила 0.5–1 мкм залежно від числа імпульсів лазера. Структуру масивного матеріалу мішені досліджено методом Х-променевої дифрактометрії. Структуру плівок досліджували методом дифракції електронів високих енергій на проходження. Досліджено оптичне пропускання, оптичне поглинання та фотолюмінесценцію плівок ZnO та ZnMnO, осаджених за різних температур. The results of experimental investigation of structural and optical properties of ZnO and ZnMnO films are presented in this work. The films of ZnO and ZnMnO of different thickness were obtained on Al2O3, glass and KCl substrates in vacuum of 1×10-5 Torr by the pulsed laser deposition method. The samples were obtained by the substrate temperature 300–473 K. A thickness of films was in the range of 0.5–1 μm depending on the number of laser pulses. The structure of target bulk materials was investigated by X-ray diffraction method. A structure of laser deposited films was investigated by the transmission high-energy electron diffraction method. The light transmission, absorption and photoluminescence spectra of ZnO and ZnMnO deposited at various temperatures films were investigated.
  • Thumbnail Image
    Item
    Формування структури плiвок II–VI, отриманих рiзними методами
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Рудий, I. О.; Лопатинський, I. Є.; Фружинський, М. С.; Курило, I. В.; Юречко, Р. Я.; Вiрт, I. С.
    Методом електронографiї дослiджено початковi стадiї нарощування плiвок HgCdTe на пiдкладках Al2O3, GaAs, CdTe та KCl. Плiвки отримували методами iмпульсного лазерного осадження та iзоПФЕ. На початкових стадiях росту спостерiгали перехiд вiд аморфної структури до текстурованої полiкристалiчної, аж до появи структури мозаїчного монокристала. Розраховано критичнi розмiри кристалiчних зерен напiвпровiдникових сполук II–VI, подальше зменшення яких приводить до переходу з кристалiчного стану в аморфний. Значення критичних розмiрiв зерен узгоджуються з розмiрами зерен невпорядкованої (аморфної) фази, яка виникає на початковiй стадiї росту епiтаксiйних плiвок HgCdTe на рiзних пiдкладках. By electron diffraction were investigated the initial stages of growth HgCdTe films on substrates Al2O3, GaAs, CdTe and KCl. The films were grown by a pulsed laser deposition and ISO VPE. Observed transition from amorphous structure up to textured polycrystalline and before occurrence of structure of a mosaic monocrystal. Estimative calculation in carried out for the critical sizes of crystalline grains of some semiconductor II–VI compounds, a futher decrease in which leads to a crystalline-amorphous transition. Values of critical grain sizes are in agreement with sizes of the disordered (amorphous) phase appearing at the initial stage of growth of epitaxial HgCdTe films on different substrates.
  • Thumbnail Image
    Item
    Структура та електричні властивості тонких плівок Bi2Te3, Sb2Te3 та надструктур Bi2Te3 / Sb2Te3, отриманих імпульсним лазерним осадженням
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.; Шкумбатюк, Т. П.
    Тонкі плівки Bi2Te3, Sb2Te3 та надрешітки Bi2Te3 / Sb2Te3 змінної товщини отримано за допомогою імпульсного лазерного осадження. Плівки осаджували на підкладки Al2O3 та KCl у вакуумі 1×10-5 мм. рт. ст. за температур 453–523 K. Товщина плівок становила 0.5–1 мкм. Досліджено структуру об’ємного матеріалу мішеней за допомогою методу рентгенівської дифрактометрії. Структуру отриманих плівок досліджено за допомогою методу дифракції електронів високої енергії на просвіт. Питомий опір плівок різної товщини вимірювали в температурному інтервалі 77–300 K. Thin films Bi2Te3, Sb2Te3 and superlattices structures Bi2Te3 / Sb2Te3 of different thickness have been prepared on Al2O3 and KCl substrate in vacuum of 1×10-5 Torr by pulsed laser deposition. Samples were obtained when the substrate temperature was 453–523 K. A thickness of films obtained in the range of 0.5–1 μm, depending on a number of shots. The structure of bulk materials of target was investigated by X-ray diffraction method. The structure of laser deposited films was investigated by transmission high-energy electron diffraction method. Electrical resistivity was measured in the temperature range 77–300 K.