Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    Нестійкість металевої підгратки SnTe
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Хандожко, О. Г.; Слинько, Є. І.; Khandozhko, O. G.; Slynko, E. I.; Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича; Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства НАН України
    Встановлена залежність ширини і форми ліній ЯМР від концентрації дірок в SnTe. В області концентрацій p<1,8∙1020см-3 спостерігається різке звуження ліній 119Sn і 125Te та ускладнення їхньої форми. Поява в спектрах ЯМР 119Sn лоренцової складової вказує на “розм'якшення” металевої підґратки внаслідок рухливості атомів олова.
  • Thumbnail Image
    Item
    ЕПР кристалів PbTe:G
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Заячук, Д. М.; Полигач, Є. О.; Слинько, Є. Ї.; Хандожко, О. Г.; Національний університет “Львівська політехніка”; Чернівецьке відділення ІПМ НАН України; Чернівецький Національний Університет
    Досліджено спектри ЕПР монокристалів PbTe:Gd, вирощених методами Бріджмена та парової фази і легованих гадолінієм у процесі росту. Встановлено, що форма та інтенсивність ліній сигналу ЕПР іонів домішки гадолінію залежить від його концентрації, методу вирощування та типу провідності легованих кристалів, а також від способу введення легуючої домішки. Зроблено висновок, що отримані результати свідчать на користь гіпотези про утворення в процесі легування телуриду свинцю гадолінієм структурно-домішкових комплексів “домішка заміщення - вакансія телуру”. Уточнено величину g-фактора домішки гадолінію в досліджуваних кристалах при кімнатній температурі та температурі рідкого азоту. PbTe:Gd crystals grown by Bridgman and vapour phase methods and doped with Gd while growth process has been investigated. It was ascertained that both shape and intensity of EPR spectrum lines depend on Gd concentration, doping method, type of crystal conductivity and growth method. Conclusion was drown that EPR spectrum behaviors obtained for crystals under investigation give the seal to our theory about forming of “Gd3+-VTe” complexes in PbTe doped with Gd impurity. g-factor value has been specified for both room and liquid nitrogen temperatures.
  • Thumbnail Image
    Item
    Особливості ЕПР активності домішки гадолінію в кристалах твердих розчинів телуридів свинцю і олова
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Полигач, Є. О.; Слинько, С. І.; Хандожко, О. Г.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Проведено експериментальні дослідження спектрів ЕПР кристалічних і порошкоподібних зразків p-Pb1-x-ySnyGdyTe (x = 0,2, y = 0,01). Вперше показано, що розтирання зразків досліджуваних матеріалів у порошок, а також ЇХ низькотемпературний відпал переводить іони домішки Gd з ЕПР неактивного стану Gd+ у ЕПР активний стан Gd3+, в той час як високотемпературний відпал гасить сигнал ЕПР іонів Gd. Одержані експериментальні результати інтерпретуються на основі моделі, згідно з якою зарядовий стан Gd3+домішки гадолінію в телуридах свинцю і олова є складовою частиною комплексу "домішка заміщення Gd - вакансія Те” EPR experimental study of both crystalline and powder p-Pb1-x-ySnyGdyTe samples (x = 0,2, y = 0,01) has been carried out. First it was shown, that grinding investigated materials into powder as well as their low-temperature annealing turns Gd impurity ions from EPR non-active Gd2+ state to EPR Gd3+ one, whereas high-temperature annealing quenches EPR signal from Gd ions. Obtained experimental results are discussed within the model, according to which Gd3+ charge state of the Gd impurity ions in lead and tin tellurides is the component part of the "substituting Gd impurity - Te vacancy" complex.