Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Search Results

Now showing 1 - 7 of 7
  • Thumbnail Image
    Item
    Реалізація можливостей ефективнішого використання кристалічних матеріалів на основі нетривіальної кутової геометрії екстремумів п’єзооптичного ефекту
    (Видавництво Львівської політехніки, 2019-02-26) Дем’янишин, Н. М.; Андрущак, А. С.; Бурий, О. А.; Мицик, Б. Г.; Demyanyshyn, N.; Andrushchak, A.; Buryy, O.; Mytsyk, B.; Національний університет “Львівська політехніка”; Фізико-механічний інститут НАН України; Lviv Polytechnic National University; Physical and Mechanical Institute of the National Academy of Sciences of Ukraine
    Знайдено можливості ефективнішого практичного використання кристалічних матеріалів різних класів симетрії аналізом просторової анізотропії та побудови вказівних чи екстремальних поверхонь п’єзооптичного ефекту для цих кристалів. На прикладі кристалів ніобату літію (клас симетрії 3m), вольфрамату кальцію (4/m) і тригліцинсульфату (2/m) показано, що п’єзооптичний ефект у цих кристалах суттєво анізотропний як за знаком, так і за абсолютною величиною. Напрямки екстремумів п’єзооптичного ефекту не збігаються з кристалофізичними осями та визначаються нетривіальними кутами, які зумовлені класом симетрії досліджуваного матеріалу та можуть бути розраховані за величинами їх п’єзооптичних коефіцієнтів.
  • Thumbnail Image
    Item
    Моделювання актюатора точного позиціювання на основі бідоменного кристала ніобату літію
    (Видавництво Львівської політехніки, 2019-02-26) Яхневич, У. В.; Горбунов, О. О.; Сиворотка, І. І.; Бурий, О. А.; Сугак, Д. Ю.; Yakhnevych, U.; Gorbunov, O.; Syvorotka, I.; Buryy, O.; Sugak, D.; Національний університет “Львівська політехніка”; Науково-виробниче підприємство “Електрон–Карат”; Lviv Polytechnic National University
    Проведено моделювання актюатора на основі бідоменної структури ніобату літію. Встановлено залежності величини зміщень актюатора від його геометричних розмірів та прикладеної різниці потенціалів. Зокрема показано, що залежність величини зміщення від прикладеної напруги має лінійних характер в усьому дослідженому діапазоні (–300–300 В). Результати розрахунків добре узгоджуються з відомими експериментальними даними.
  • Thumbnail Image
    Item
    Взаємодія світла з поздовжніми акустичними хвилями, збудженими п’єзоперетворювачами скінченних розмірів в ізотропному середовищі
    (Видавництво Львівської політехніки, 2019-02-26) Винник, Д. М.; Бурий, О. А.; Андрущак, А. С.; Vynnyk, D.; Buryy, O.; Andrushchak, A.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
    У роботі із використанням інтеграла Релея–Зомерфельда розраховано деформації в акустичному пучку, збудженому прямокутним п’єзоперетворювачем. На основі одержаних результатів визначено величини дифракційної ефективності взаємодії плоскої оптичної хвилі і акустичного пучка, збудженого прямокутним п’єзоперетворювачем.
  • Thumbnail Image
    Item
    Двопроменева поляризаційна призма на основі кристала ніобату літію з двійниковою границею
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Савицький, Д. І.; Сугак, Д. Ю.; Сольський, І. М.; Бурий, О. А.; Іжнін, О. І.; Василечко, Л. О.; Жеграй, Р. Т.; Кухарук, С. В.; Шопа, Я. І.; Savytskii, D.; Sugak, D.; Solskii, I.; Buryy, O.; Izhnin, O.; Vasylechko, L.; Zhegraj, R.; Kuharuk, S.; Shopa, Ya.; Національний університет “Львівська політехніка”; Науково-виробниче підприємство “Карат”; Львівський національний університет ім. І. Франка
    Розглянуто можливість використання двійникової границі оптично одновісних кристалів як межі розділу призматичних елементів двопроменевих поляризаторів. Запропоновано отримувати бікристали з одною двійниковою границею методом Чохральського на затравку, виготовлену з’єднанням двох спеціально орієнтованих монокристалічних блоків. Отримано бікристал ніобату літію з однією двійникою границею (1012). З отриманого бікристала виготовлено і охарактеризовано двопроменеві поляризаційні призми. Показано, що поляризаційне відношення кожної з вихідних компонент світла становило 6·10–6 при куті їх розходження в шість градусів на довжині хвилі 633 нм.
  • Thumbnail Image
    Item
    Реалізація можливостей ефективнішого використання кристалічних матеріалів на основі нетривіальної кутової геометрії екстремумів п’єзооптичного ефекту
    (Видавництво Львівської політехніки, 2018-02-18) Дем’янишин, Н. М.; Андрущак, А. С.; Бурий, О. А.; Мицик, Б. Г.; Demyanyshyn, N.; Andrushchak, A.; Buryy, O.; Mytsyk, B.; Фізико-механічний інститут Національної академії наук України; Національний університет “Львівська політехніка”; Fizyko-Mekhanichnyy Instytut im. H. V. Karpenka NAN Ukrayine; Lviv Polytechnic National University
    Виявлено можливості ефективнішого практичного використання кристалічних матеріалів різних класів симетрії за рахунок аналізу просторової анізотропії та побудови вказівних чи екстремальних поверхонь п’єзооптичного ефекту для цих кристалів. На прикладі кристалів ніобату літію (клас симетрії 3m), вольфрамату кальцію (4/m) і тригліцинсульфату (2/m) показано, що п’єзооптичний ефект у цих кристалах істотно анізотропний як за знаком, так і за абсолютною величиною. Напрямки екстремумів п’єзооптичного ефекту не збігаються з кристалофізичними осями та визначаються нетривіальними кутами, які зумовлені класом симетрії досліджуваного матеріалу та можуть бути розраховані за значеннями їхніх п’єзооптичних коефіцієнтів.
  • Thumbnail Image
    Item
    Сенсори газів на наноструктурах: сучасний стан та перспективи досліджень
    (Видавництво Львівської політехніки, 2017-03-28) Бурий, О. А.; Убізський, С. Б.; Buryy, O.; Ubizskii, S. B.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
    Проаналізовано основні досягнення у галузі розроблення газових сенсорів резис- тивного типу, зокрема, створення нових наноархітектур, які дають змогу істотно покра- щити робочі характеристики сенсорів. Показано, що використання у таких структурах середовищ на основі нанокристалів перовськитів дасть можливість в перспективі забез- печити переваги над сенсорами на традиційних напівпровідникових оксидах металів.
  • Thumbnail Image
    Item
    Особливості кінетики радіаційного дефектоутворення за умови формування комплексів дефектів
    (Видавництво Львівської політехніки, 2017-03-28) Бурий, О. А.; Убізський, С. Б.; Buryy, O.; Ubizskii, S. B.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
    На основі розв’язку системи диференціальних рівнянь проаналізовано кінетику накопичення радіаційних дефектів у кристалічних середовищах за умови виникнення комплексів дефектів. Встановлено характерні особливості дозових залежностей, які відображають процес утворення комплексів дефектів.