(Видавництво Львівської політехніки, 2022-03-01) Дружинін, А.; Островський, І.; Ховерко, Ю.; Лях-Кагуй, Н.; Druzhinin, A.; Ostrovskii, I.; Hoverko, Yu.; Liakh-Kaguy, N.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
Досліджено особливості перенесення носіїв заряду в мікрокристалах кремнію, легованих
бором до концентрації, що відповідає переходу метал-діелектрик, а також модифікованих
домішкою перехідного металу із незаповненою 3d+ оболонкою локального магнітного
моменту. Досліджено магнітоопір мікрокристалів під дією магнітних полів до 14 Тл за кріогенних температур.
Детально проаналізовано результати досліджень магнітотранспортних
властивостей кристалів. Встановлено, що низькотемпературний транспорт носіїв заряду у
мікрокристалах кремнію зумовлений стрибковою поляризаційною провідністю. Відповідно
до результатів досліджень намагніченості ниткоподібних кристалів Si визначено
концентрацію магнітних центрів, яка становить 4×1017см–3. Запропоновано використання
мікрокристалів кремнію у сенсорах магнітного поля з магніторезистивним принципом дії.
