(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001-03-27) Jarosz, A.; Pfitzner, A.; Warsaw University of Technology
Описано особливості моделювання VLSI схем на основі точних аналітичних
моделей взаємних ємностей. Результати моделювання таких схем з урахуванням
впливу сусідніх ліній дають можливість оцінити величину затримки сигналу та
рівень перехресних спотворень від кількості паралельних ліній.
