Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
3 results
Search Results
Item Рухливість електронів у CdSe0.35Te0.65: поєднання Ab Initio підходу з принципом близькодії(Видавництво Львівської політехніки, 2023-02-28) Малик, Орест; Петрович, Ігор; Кеньо, Галина; Юркевич, Юрій; Вашкурак, Юрій; Malyk, Orest; Petrovych, Ihor; Kenyo, Halyna; Yurkevych, Yurii; Vashkurak, Yurii; Lviv Polytechnic National UniversityУ роботі розглянуто проблему впливу точкових дефектів на явища перенесення у кристалах CdSexTe1-x (x=0,35). Вперше виконано розрахунок електронного спектра, хвильової функції та потенціальної енергії електрона в зразках CdSe0.35Te0.65 за заданої температури. За допомогою методу суперкомірки встановлено типи точкових дефектів, а також температурну залежність їх енергій іонізації в досліджуваному інтервалі температур. Виявлено температурні залежності констант деформації оптичного та акустичного потенціалів розсіяння, а також розраховано температурні залежності констант розсіяння електронів на різних кристалічних точкових дефектах. На основі моделей розсіювання із короткодіючим потенціалом встановлено температурні залежності рухливості та холлівського фактора електронів.Item Transport Phenomena in Copper Doped Cadmium Telluride: Calculation from the First Principles(Видавництво Львівської політехніки, 2022-04-04) Малик, Орест; Петрович, Ігор; Кеньо, Галина; Malyk, Orest; Petrovych, Ihor; Kenyo, Halyna; Lviv Polytechnic National UniversityУ роботі розглянуто метод визначення енергетичного спектра, хвильової функції важкої дірки та кристалічного потенціалу в CdTe за довільно заданої температури. За допомогою цього підходу в межах методу суперкомірки розраховано температурні залежності енергій іонізації різних типів дефектів, спричинених впровадженням домішки міді в телурид кадмію. Також запропонований метод дає змогу визначити температурну залежність оптичного та акустичного потенціалів деформації, а також залежність від температури параметрів розсіювання важких дірок на іонізованих домішках, полярних оптичних, п’єзооптичних та п’єзоакустичних фононах. У межах близькодіючих моделей розсіяння розглянуто температурні залежності рухливості важких дірок і коефіцієнта Холла.Item Simulation of output current-voltage characteristics of mos transistors formed on «silicon-on insulator» structures(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2002) Kenyo, Halyna; Petrovych, Ihor; Lviv Polytechnic National UniversityThe current-voltage characteristics of SOI MOS-transistors created in thick (0,5 μm) silicon films by recrystallized laser beam is calculated. A equivalent circuit for computation of drain current includes - MOS-transistor and horizontal bipolar transistor, which form simultaneously in technological process. The peculiarity of formed bipolar transistor is that its base isolated by layers of undergate and insulating oxides. For calculation of the current of the bipolar transistor the potential of “floating substract” (the under-channel region in which the holes accumulated under drain voltage), which causes of sharp increasing of drain current in the range of small drain voltage, is obtained. The characteristics obtained have abrupt current drain region, known as “kink-effect", which can be described as summed influence of both transistors and at the same time the avalanche formation of charge carriers caused by ionisation under influence of strong electric field does not play essential role. Experimental current-voltage characteristics satisfactorily describe by the given model.