Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Author: search.filters.author.Ostrovskyi, Ihor

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    Low temperature performances of doped gasbwhiskers
    (Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2015) Druzhynin, Anatoliy; Ostrovskyi, Ihor; Khoverko, Yuriy; Khytruk, Іhor; Liakh-Kaguy, Natalia
    Temperature dependencies of n-type GaSb whisker resistance are measured in the temperature range of 1,5–300 K and in the magnetic field up to 14 T. The peculiarities of whisker resistance in the low temperature range (a sharp drop in the whisker resistance at about 4,2 K) are observed. Superconductivity in the whiskers is caused by the appearance of weak antilocalization, which leads to the emergence of negative magnetoresistance. The magnetoconductivity of these whiskers in the low field regime turns out to be well described by a two-dimensional (2D) weak antilocalization (WAL) model. Проведено вимірювання температурних залежностей опору ниткоподібних кристалів (НК) GaSb n-типу в темпе- ратурному діапазоні 1,5–300 К та магнітному полі до 14 Тл. Спостерігалось різке (стрибкоподібне) падіння опору в НК за температури 4,2 К. Можливою причиною появи надпровідного стану в ниткоподібних мікрокристалах може бути виникнення слабкої анти локалізації та відповідно негативного магнето-опору. Встановлено, що магнетоопір досліджуваних НК можна описати двовимірною моделлю слабкої антилокалізації в магнітному полі.
  • Thumbnail Image
    Item
    InSb microcrystals for sensor electronics
    (Видавництво Львівської політехніки, 2014) Druzhynin, Anatoliy; Ostrovskyi, Ihor; Khoverko, Yuriy; Khytruk, Ihor; Rogacki, Krzysztof
    The processes of electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain centers and ionized impurities in n- InSb with the defect concentration of 3 *1017 cm-" are considered. The temperature dependences of electron mobility ranged between 4,2 K and 500 K are calculated. Based on the InSb whiskers, there was elaborated a highly sensitive Hall sensor operating in the wide range of temperatures between 4,2 K and 500 K and magnetic fields (up to 10T) with a sensitivity of~3,5 mV/T. Розглянуто процеси розсіяння електронів на близько-діючому потенціалі, викликаного взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками та центрами статичної деформації в n-InSb з концентрацією дефектів 3 х10 см" . У межах точного розв’язку стаціонарного рівняння Больцмана на основі принципу близькодії розраховано температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4,2-500 К. Встановлено добре узгодження теорії та експерименту у дослідженому інтервалі температур. На основі ниткоподібних кристалів InSb розроблено холлівський датчик, дієздатний у широкому температурному інтервалі 4,2-500 К та в області високих магнітних полів (до 10 Тл) з чутливістю -3,5 мВ/Тл.
  • Thumbnail Image
    Item
    A strain sensor resistent to proton irradiation
    (Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2012) Druzhynin, Anatoliy; Khoverko, Yuriy; Vuitsyk, Andrii; Ostrovskyi, Ihor
    Influence of proton irradiation on the properties of Si1-xGex whiskers as strain sensors is studied in this work. On the basis of secondary signal processing the possibility of using such whiskers as a strain sensor’s sensitive element resistant to proton radiation is shown. В даній роботі проаналізовано вплив протонного випромінювання на ниткоподібні кристали Si1-xGex які використовуються в сенсорах механічних величин та зроблено висновки про стійкість таких сенсорів до дії протонного випромінювання. Також запропоновано інтелектуальну інтерфейсну плату для обробки сигналу від вимірювального перетворювача.