(Видавництво Львівської політехніки, 2018-02-26) Стадник, Б. І.; Яцишин, С. П.; Фрьоліх, Т.; Микийчук, М. М.; Луцик, Я. Т.; Скоропад, П. І.; Національний університет «Львівська політехніка»; Технічний університет, м. Ільменау, Німеччина
Можливість упровадження еталона квантової температури потребує зосередження уваги на
перетворювальному елементі I–T як унікальному електронному пристрою, що підлягає істотним навантаженням під час
роботи. Враховуючи його нанорозмірність, оскільки елемент виготовляють на основі CNTFET конструкції,
трансформуючи її у нанорозмірний термоелектричний перетворювач (стік та витік) із надпровідним затвором, ми
передбачаємо особливо жорсткі вимоги до цього елемента. Вирішити цю проблему можна із залученням інженерії
еластичних напружень, яку раніше успішно застосовували для масштабування процесів виготовлення багатозатворних
комплементарних польових транзисторів.
