Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
4 results
Search Results
Item Дослідження впливу параметрів синтезу на магнітні властивості CoNi феритів(Видавництво Львівської політехніки, 2020-03-16) Фролова, Л. А.; Бутиріна, Т. Є.; Frolova, L.; Butyrina, T.; Український державний хіміко-технологічний університет; Ukrainian State University of Chemical TechnologyУ статті досліджено вплив умов проведення синтезу на намагніченість насичення та коерцитивну силу NiCo феритів, які були отримані під дією низькотемпературної контактної нерівноважної плазми (КНП). Основними впливовими факторами є початковий рН розчину, температура обробки та тривалість плазмової обробки. Математичні рівняння адекватно описують отримані залежності. Результати показали, що рН реакційного середовища є параметром, який найбільше впливає на магнітний гістерезис для зразків, отриманих при обробці КНП. Зі збільшенням початкового рН значення коерцитивної сили збільшуються.Item Термодеградаційні ефекти у товстоплівкових елементах на основі шпінельної кераміки Cu- та Co-збагачених складів(Видавництво Львівської політехніки, 2017-03-28) Клим, Г. І.; Klym, H. I.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National UniversityДосліджено кінетичні залежності термоіндукованого дрейфу електричного опору в тов- стоплівкових елементах на основі шпінельної кераміки Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (Co-збагачений склад) та Сu0,8Ni0,1Co0,2Mn1,9O4 (Cu-збагачений склад). Виявлено ефект термічного “шоку”, який проявляється у різкому зростанні електричного опору елементів у першому циклі ізотермічної витримки за 170 оС з подальшим збереженням опору на встановленому рівні під час подальшого продовження деградаційного тесту в Cu-збагачених складах, а також ефект плавного зменшення опору під час термоекспонування у зразках Co-збагаченого складу. Встановлено, що електричні параметри елементів Cu-збагачених складів вдається істотно застабілізувати попередньою ізотермічною витримкою за порівняно низької температури.Item Деградаційні процеси в температурно-чутливих товстоплівкових структурах(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Клим, Г. І.; Балицька, В. О.; Гадзаман, І. В.; Шпотюк, О. Й.Досліджено кінетичні залежності термоіндукованого дрейфу електричного опору в одно- та мультирівневих температурно-чутливих товстоплівкових структурах на основі змішаних манганітів Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (з p+-типом електричної провідності) та Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (з p-типом електричної провідності). Встановлено, що в досліджуваних товстих плівках р- та p+-типу активуються процеси вигорання залишків органічної зв'язки між зернами шпінелі та одночасне проникнення в простір металевого срібла. Такі процеси описуються стисненою експоненціально-степеневою релаксаційною функцією. Для товстоплівкових р+-р структур характерні власні деградаційні процеси, які проявляються у збільшенні електричного опору, а кінетика їх термоіндукованого старіння адекватно описується розширеною експоненціально-степеневою функцією. The kinetics dependences of thermoinducational drift of electrical resistance in single-and multilayered temperature-sensitive thick-film structures based on mixed manganices Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (with p+-types of electrical conductivity), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (with ptypes of electrical conductivity) are investigated. It is established, that two interconnected processes are activated during degradation test in p- and p+-type thick film - the burning-out of remainders of organic binder between contacting spinel grains with simultaneous Ag penetration into appeared free-volume space. The own degradation processes in thick-film р+-р structures show up in the increase of electric resistance. Their degradation kinetics are adequately described by the extended exponential-power-like relaxation function.Item Наноструктуровані температурно- та вологочутливі сенсорні структури на основі шпінельної кераміки(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Клим, Г. І.; Гадзаман, І. В.; Шпотюк, О. Й.Проаналізовано можливості одержання наноструктурованих температурно- та вологочутливих товстоплівкових структур на основі напівпровідникової та діелектричної кераміки різних хімічних складів Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (з p+-типом електричної провідності), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (з p-типом електричної провідності) та діелектричної кераміки MgAl2O4 (і-тип). Показано, що температурночутливі товсті плівки мають чутливість на ділянці температур від 298 до 368 К, а вологочутливі – на ділянці відносних вологостей від 40 до 98 %. Одержані товстоплівкові структури можна успішно застосовувати для одержання інтегрованих температурно-, вологочутливих сенсорів моніторингу та контролю навколишнього середовища. Nanostructured temperature and humidity-sensitive thick-film structures based on spinel-type semiconducting and dielectric ceramics of different chemical composition Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (with p+-types of electrical conductivity), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (with ptypes of electrical conductivity) and insulating (i-type) MgAl2O4 ceramics were fabricated and studied. It is shown that temperature-sensitive thick films possess sensitivity in the region from 298 to 358 K and humidity-sensitive thick films are sensitive from 40 to 98 %. Obtained thickfilm structures can be successfully applied for integrated temperature-humidity sensors of environmental monitoring and control.