Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
5 results
Search Results
Item Modeling of optimized cascade of quantum cascade detector operating in far infrared range(Видавництво Львівської політехніки, 2020-01-01) Сеті, Ю. О.; Ткач, М. В.; Верешко, Є. Ю.; Войцехівська, О. М.; Seti, Ju. O.; Tkach, M. V.; Vereshko, E. Ju.; Voitsekhivska, O. M.; Чернiвецький нацiональний унiверситет iм.Ю. Федьковича; Yuriy Fedkovych Chernivtsi National UniversityНа основi розвиненої у моделi координато-залежної ефективної маси та прямокутних потенцiалiв теорiї енергетичного спектра електрона та сил осциляторiв мiжпiдзонних квантових переходiв запропоновано геометричний дизайн компактного каскаду квантового каскадного детектора далекого IЧ дiапазону з двоямною активною зоною. Екстрактор каскаду оптимiзовано так, щоб енергетичнi щаблi його фононної драбинки резонували з енергiєю оптичного фонона, що забезпечує ефективне фононсупровiдне тунелювання електронiв мiж активними зонами каскадiв наноприладу. Встановлено, що зменшення товщини бар’єра мiж ямами активної зони внаслiдок збiльшення вiдстанi мiж рiвнями в антикросингу приводить до розширення смуги поглинання детектора.Item Можливість виявлення потенційно ненадійних елементів електроніки(Видавництво Львівської політехніки, 2018-02-26) Колодій, З. О.; Крук, О. Г.; Kolodiy, Z.; Kruk, O.; Національний університет «Львівська політехніка»; Lviv Polytechnic National UniversityНаведено результати комп’ютерного моделювання власного шуму елемента електроніки (ЕЕ) для різних моделей його внутрішньої структури. Наведено результати експериментальних досліджень власного шуму ЕЕ в діапазоні низьких частот, які підтверджують результати комп’ютерного моделювання, а саме: вищий рівень шуму в діапазоні низьких частот мають ті ЕЕ, у внутрішній структурі яких більше дефектів. Наведено аналітичний вираз енергетичного спектра власного шуму ЕЕ, у якому параметр τ залежить від особливостей внутрішньої структури ЕЕ. Показано, що виявлення потенційно ненадійних елементів можна здійснювати або за рівнем їхнього власного шуму в діапазоні низьких частот, або за значенням параметра τ.Item Вплив стану досліджуваної системи на дисперсію рівноточних вимірювань(Видавництво Львівської політехніки, 2017-03-28) Колодій, Зеновій; Су, Цзюнь; Яцишин, Святослав; Kolodiy, Zenoviy; Su, Jun; Yatsychyn, Svyatoslav; Національний університет “Львівська політехніка”; Школа комп’ютерної науки, Університет технології провінції Хубей, КитайНаведено результати рівноточних вимірювань електричного опору двох однотипних вимірювальних котушок опору за припущення, що різниця між дисперсіями (середньоквадратичними відхиленнями) номіналу досліджуваних котушок є наслідком їх нерівноважного стану. Визначено енергетичний спектр флуктуацій номіналу досліджуваних котушок, за яким визначено діапазон частот, у межах якого зміни енергетичного спектра мінімальні. За визначеним діапазоном частот встановлено умови, за яких реалізація процесу вимірювання відбувається для квазірівноважного стану досліджуваних котушок і, відповідно, різниця між дисперсіями результатів рівноточних вимірювань мінімальна.Item Комплексний підхід до підвищення стійкості електронних апаратів домеханічних дестабілізуючих факторів(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Матвійків, М. Д.; Матвійків, Т. М.Розглянуто взаємодоповнювальні способи підвищення стійкості електронних апаратів (ЕА) до дії ударів та вібрацій, які за механічних впливів є основними дестабілізуючими факторами. В разі механічних ударів інерційне перевантаження становить 5..15 одиниць. У багатьох випадках верхня границя енергетичного спектра прискорень досягає 50..150 м/с2. Під час ударів і вібрацій в елементах ЕА і, передусім, у контактах виникають незворотні зміни, які закінчуються руйнуванням. Оскільки повністю позбутись впливу механічних дестабілізуючих факторів не вдається, то необхідно приймати рішення про можливість підвищення стійкості електронних засобів. Комплексний підхід означає одночасне застосування декількох відомих засобів підвищення стійкості ЕА до ударів та вібрацій. Дослідження показали, що саме такий підхід дає найкращі результати. The paper considers complex ways to improve the stability of electronic devices (ED) to shocks and vibrations, which are the main destabilizing factors among mechanical effects. In mechanical shock, the inertial overload may reach up to 5..15 units. In many situations, the upper limit of the energy spectrum of acceleration reaches 50..150 m/s2. Such large inertial overload very quickly (in tens or hundreds of beats) causes the destruction of regular ED. Vibrations are general companion of shocks, or may be generated by regular sources, like propellers, moving vehicles or various motor devices - electrical, mechanical or internal combustion engine. In the presence of shocks and vibrations, in the elements of ED and, most of all, in their contacts appears irreversible changes that finally lead to the destruction. Engineers are trying to mitigate the impact of shocks and vibrations. Since the influence of mechanical destabilizing factors on the ED can not be completely solved, it is necessary to make decision on the possibility of increasing the stability of electronic devices. Various studies have shown that a differential approach, that concentrates on the use of only certain types of compensations for mechanical effects, such as shock absorbers, damper pads, various gels - do not give the desired results. At-first, they do not eliminate the influence of mechanical factors completely, and, secondly, they increase the weight and overall indicators of ED. On the contrary, an integrated complementary approach means the simultaneous use of several known means for increasing the stability of ED to highly energetic shocks and vibrations. A complex approach means the simultaneous use of several, supported each other, technical means of increasing the stability of ED to shocks and vibrations. The regular practice is following: ready ED are placed on dampers, matched according to their weight, operating conditions and the nature of mechanical forces, which that reduces the negative effect of mechanical destabilizing factors. The second set of questions concerns the choice of components mounting technics. Currently, for the connection of electrical elements most manufactures use sital, ceramic or polyimide substrates – they have a higher resistance to shocks and vibrations. The results of our research shows that: 1. Drilling columns at low frequency has large amplitude oscillations, and, hence, a wide energy range, which cause rapid destructions, primarily – electronic tools, and drilling telemetry systems, as well. 2.Wide studies have shown that only a complementary approach can improve the stability of ED and provide the best results in case of aggressive mechanical destabilizing factors.Item Метод флікер-шумової спектроскопії(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Мандзій, Б. А.; Колодій, З. О.; Яцишин, С. П.; Колодій, А. З.Method of determining the processes that take place inside the investigated system is presented here. Method is based on the analysis of energy spectrum of investigated system own noises. Using energy spectrum of own noises that is experimentally found it is calculated the constant of system relaxation time τ. Processes that take place inside the system affect the value of τ. Analysis of values of the constant of relaxation time gives the possibility to obtain the information about the character of inner processes. Energy spectrum of own noises of real systems including semiconductors is not the same in the whole range of frequencies. On the middle and high frequencies energy spectrum value S(f) is the same but on the low frequencies (f→0) it is observed the inverse proportion of spectrum from the frequency. Such irregularity of energy spectrum is explained by unbalanced state of real system. Without external influences on the system (the condition of measurement) the system moves to balanced state through relaxation processes. Depending on the peculiarities of system structure defects the probability of one of all possible relaxation mechanisms with time τ is the highest. Analysis of times of relaxation spectrum gives the possibility to reveal almost all main characteristics of structure of solid solutions but empirical estimate of parameter τ is connected with some methodical difficulties and does not provide necessary precision of valuations. Energy spectrum of own noises of investigated system S(f) depends on the value τ thus the constant of system relaxation time can be found using experimentally calculated S(f). Value τ found in such way can be compared with theoretically calculated value τ during predicted the biggest probability the one of possible relaxation mechanisms. If experimental and theoretical τ value are close it is possible to find the relaxation mechanisms that take place in the investigated system. The authors performed experimental investigations of energy spectrum of own noises of electronic elements based on resistors and also on silicon epitaxial planar diodes. In investigated resistors the relaxation processes are connected with appearing and disappearing of quasi-equilibrium vacancies. In semiconducting diode generating-recombination processes happen faster than appearing and disappearing of quasi-equilibrium vacancies, thus the relaxation constant for diode is smaller than for resistors. It was conducted the investigation of parameters of resistor own noises with conducted film of metal oxide on the surface and with mechanical damages of film. Based on the obtained energy spectrums of their noises it was calculated the relaxation constants of examples of investigated resistors. In the structure of conducted film of investigated resistors besides quasi-equilibrium vacancies other defects appeared, for example micro-cracks. Appearing of such defects accelerate the relaxation processes that can be seen in the reduction of relaxation constants of investigated examples. Запропоновано метод визначення процесів, що відбуваються всередині досліджуваної системи. Метод ґрунтується на аналізі енергетичного спектра власних шумів досліджуваної системи. За експериментально визначеним енергетичним спектром власних шумів визначається постійна часу релаксації системи τ. Процеси, що відбуваються всередині системи, впливають на значення τ. Аналіз значень постійної часу релаксації дає змогу отримати інформацію про характер внутрішніх процесів.