Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Subject: search.filters.subject.aprotic solvents

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Осадження наноструктурованого осаду срібла на поверхні кремніюметодом гальванічного заміщення
    (Видавництво Львівської політехніки, 2018-02-26) Шепіда, М. В.; Зозуля, Г. І.; Кунтий, Орест Іванович; Shepida, M. V.; Zozulya, G. I.; Kuntyi, O. I.; Національний університет “Львівська політехніка, кафедра хімії і технології неорганічних речовин
    Наведено результати досліджень процесу осадження наноструктурованого срібла на поверхню кремнію методом гальванічного заміщення. Встановлено умови перебігу процесу, за якого у водних розчинах ціанідних комплексів та в середовищі органічних апротонних розчинників формуються мікро- та нанорозмірні осади срібла. Показано, що для модифікації кремнію лише наночастинками срібла (60…80 нм) з невеликим діапазоном розкиду їх за розмірами, визначальним є гальванічне заміщення у розчинах стійких комплексних сполук Арґентуму в DMF.
  • Thumbnail Image
    Item
    Morphology of a dispersed tellurium electrochemical deposition in aprotic solvents
    (Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2007) Kuntyi, Orest
    Досліджено електроліз розчинів TeCl4 в диметилсульфоксиді, диметилформаміді та ацетонітрилі з використанням розчинних телурових анодів. У 0.05 M TeCl4 за 313 K на графітовій підкладці при потенціалах менше ніж 1.0 V спостерігається формування компактного телурового осаду, при потенціалах більше ніж1.25-1.5V-дисперсноготелуру. За даними досліджень за допомогою растрової мікроскопії встановлено, що дисперсний телур формується у конгломерати, що містять пелюстко- і пір’яподібні утворення товщиною 0.3–0.1 µm.The electrolysis of TeCl4 solutions in dimethylsulfoxide, dimethylformamide and acetonitrile using soluble tellurium anodes has been investigated. At 313K in 0.05MTeCl4 over graphic undercoat the formation of compact tellurium deposit took place at cathode potentials less than 1.0 V and formation of dispersed deposit – at values more than 1.25–1.5 V. Using the results of SEM researches it has been established that dispersed tellurium formed conglomerates consisting of intergrown lobes and knurls with the thickness 0.3–0.1 μm.