Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Рухливість електронів у CdSe0.35Te0.65: поєднання Ab Initio підходу з принципом близькодії
    (Видавництво Львівської політехніки, 2023-02-28) Малик, Орест; Петрович, Ігор; Кеньо, Галина; Юркевич, Юрій; Вашкурак, Юрій; Malyk, Orest; Petrovych, Ihor; Kenyo, Halyna; Yurkevych, Yurii; Vashkurak, Yurii; Lviv Polytechnic National University
    У роботі розглянуто проблему впливу точкових дефектів на явища перенесення у кристалах CdSexTe1-x (x=0,35). Вперше виконано розрахунок електронного спектра, хвильової функції та потенціальної енергії електрона в зразках CdSe0.35Te0.65 за заданої температури. За допомогою методу суперкомірки встановлено типи точкових дефектів, а також температурну залежність їх енергій іонізації в досліджуваному інтервалі температур. Виявлено температурні залежності констант деформації оптичного та акустичного потенціалів розсіяння, а також розраховано температурні залежності констант розсіяння електронів на різних кристалічних точкових дефектах. На основі моделей розсіювання із короткодіючим потенціалом встановлено температурні залежності рухливості та холлівського фактора електронів.