Indium Tin Oxide films grown at room temperature by RF-magnetron sputtering in oxygen-free environment
No Thumbnail Available
Date
2012
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
Indium Tin Oxide (ITO) thin films were grown at room temperature (RT) in oxygen-free environment by rfmagnetron sputtering on glass and Si(100)-substrates. The effects of argon pressure, sputtering power and film thickness on the electrical and optical properties of ITO films were investigated. For a 100 nm thick ITO films grown at RT in argon pressure 1.95·10-3 mbar and sputtering power of 50 W, the transmittance was near 90% at 500 nm and sheet resistance was 50 Ohm/sq. It has been shown that the sputtering power plays an important role in electric properties of ITO films. SEM images of these samples show smooth surface with sharp substrate/ITO interface.
Description
Keywords
rf-magnetron sputtering, Indium Tin Oxide (ITO), Oxygen-free, transmittance, SEM
Citation
Kudryashov D. Indium Tin Oxide films grown at room temperature by RF-magnetron sputtering in oxygen-free environment / D. Kudryashov, A. Gudovskikh, K. Zelentsov // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 61–62. – Bibliography: 4 titles.