Епiтаксiйнi гранатовi структури для твердотiльних лазерiв

Abstract

У роботі представлені дослідження в області розробки епітаксійних гранатових шарів для їх використання в якості активних середовищ твердотільних лазерів, що спільно проводяться НВП "Карат" та Лабораторією фізики оксидних кристалів Центру "Кристал" НУ "Львівська політехніка" з 1997р. Описані особливості і перспективи використання мікрочіпових лазерів з пасивною модуляцією добротності та дискових лазерів, основні проблеми, що виникають в технології рідинно-фазної епітаксії активних середовищ для них, а також шляхи їх розв'язання. В результаті досліджень були розроблені технології одержання епітаксійних структур Cr4+:YAG/Nd:YAG і Cr4+:GGG/Nd:GGG для мікрочіпових лазерів та епітаксійних шарів Yb:YAG для дискових лазерів, випробування яких показали повну відповідність вимогам застосування. Investigation in the field of the epitaxial layers development for their use as active media of solid-state lasers are present in the work. The Department of Single Crystal Materials Physics and Technology of SRC «Carat» and Laboratory of the Oxide Crystal Physics of R&D Center «Crystal» of Lviv Polytechnic National University curry them out jointly since 1997. Peculiarities and application perspectives of the passivelly Q-switched microchip lasers and disk lasers are described as well as problems arising in the liquid-phase epitaxy technology of active media for them together with metods of their solutions. As a result of research the technologies are developed of the epitaxial structures fabrication of Cr4+:YAG/Nd:YAG and Cr4+:GGG/Nd:GGG for microchip lasers and epitaxial layers Yb:YAG for disk lasers. Their examination testified the full correspondence to application demands.