Optical and electrical properties of ZnO thin films grown by sol-gel method
Loading...
Date
2012
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
The ZnO thin films have been produced on p-type Si by the dip-coating method and after deposition were heated at different temperatures in the range from 650K to 850K. The photoluminescence (PL) and cathodoluminescence (CL) measurements were carried out at temperature range 12K-350K. I-V, C-V, Q-DLTS measurements were performed on the Al/ZnO/Si/Al structures at different temperatures. The electrical response of grains, grain boundaries, and contacts of the ZnO film was obtained.
Description
Keywords
zinc oxide, thin films, sol-gel method, luminescence, raman spectra
Citation
Optical and electrical properties of ZnO thin films grown by sol-gel method / W. Bała, Yu. Zorenko, V. Savchyn, T. Voznyak, K. Paprocki, P. Popielarski, M. Szybowicz // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 31–32. – Bibliography: 4 titles.