Термостабілізація імпульсного транзисторного підсилювача потужності
| dc.citation.conference | Електроніка | |
| dc.contributor.affiliation | Національний університет “Львівська політехніка” | uk_UA |
| dc.contributor.author | Семенюк, А. Й. | |
| dc.contributor.author | Юрченко, Л. Д. | |
| dc.contributor.author | Грозь, М. М. | |
| dc.contributor.author | Смеркло, Л. М. | |
| dc.coverage.country | UA | uk_UA |
| dc.coverage.placename | Львів | uk_UA |
| dc.date.accessioned | 2018-09-19T10:02:37Z | |
| dc.date.available | 2018-09-19T10:02:37Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.description.abstract | Розглянуто особливості розробки потужних імпульсних НВЧ транзисторних підсилювачів у широкому діапазоні температур. Вибрано принцип термостабілізації і запропоновано схему термостабілізації імпульсного потужного НВЧ підсилювача потужності. Наведено результати експериментальних досліджень. The details of the development of the microwave power pulse transistor amplifiers have been considered with regard to a wide temperature range. The principle of heat setting has been defined. The heat setting circuit of the power amplifier has been designed. The results of the experimental investigation have been presented. | uk_UA |
| dc.format.pages | 41–46 | |
| dc.identifier.citation | Термостабілізація імпульсного транзисторного підсилювача потужності / А. Й. Семенюк , Л. Д. Юрченко , М. М. Грозь, Л. М. Смеркло // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 41–46. – Бібліографія: 3 назви. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42652 | |
| dc.language.iso | uk | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.relation.references | 1. B.C. Руденко, В.И. Сенько, В.В. Трифонюк, Е.Е. Юдин. Промышленная электроника. — К.: Техніка, 1979. 2. Л.И. Ленец, Н.Б. Петешин. Термостабилизация режима транзистора в широком диапазоне температур. - Полупроводниковая электроника в технике связи. Сборник статей под ред. И.Ф. Николаевского. 1986. 26. С.46 — 50. 3. Biasing Consideration for Linear (Class A, AB) Bipolar Power Transistors. — RF and Microwave Semiconductors. Discrete, Monolithic and Multifunction/ —1995, M/A COM. INC. P. 18 — 68 —18 — 70. | uk_UA |
| dc.rights.holder | © Семенюк А. Й., Юрченко Л. Д., Грозь М. М., Смеркло Л. М., 2001 | uk_UA |
| dc.subject.udc | 621.375.029.64 | uk_UA |
| dc.title | Термостабілізація імпульсного транзисторного підсилювача потужності | uk_UA |
| dc.title.alternative | The temperature stabilization of pulse transistor vhf power amplifier | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Files
License bundle
1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
- Name:
- license.txt
- Size:
- 2.99 KB
- Format:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Description: