Physical Properties of the (Ga70La30)2S300, (Ga69,75La29,75Er0,5)2S300 Single Crystals

dc.citation.conferenceМіжнародна наукова конференція "Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування"
dc.citation.epage159
dc.citation.journalTitleОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції
dc.citation.spage159
dc.contributor.affiliationDepartment of Inorganic and Physical Chemistry, Eastern European National University, Lutsk, Ukraine
dc.contributor.affiliationDepartment of General Physics, Eastern European National University, Lutsk, Ukraine
dc.contributor.affiliationIvashchenko.Inna@eenu.edu.ua, inna.ivashchenko@mail.ru
dc.contributor.authorIvashchenko, I. A.
dc.contributor.authorOlekseyuk, I. D.
dc.contributor.authorHalyan, V. V.
dc.contributor.authorKevshyn, A. H.
dc.contributor.authorKubatska, T. Y.
dc.contributor.authorRosolovska, V. M.
dc.contributor.authorTishchenko, P.
dc.contributor.authorSelezen’, A.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.coverage.temporal29 травня–2 червня, 2017 Львів, Україна
dc.coverage.temporalMay 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine
dc.date.accessioned2018-04-02T13:40:05Z
dc.date.available2018-04-02T13:40:05Z
dc.date.created2017-05-29
dc.date.issued2017-05-29
dc.format.extent159
dc.format.pages1
dc.identifier.citationPhysical Properties of the (Ga70La30)2S300, (Ga69,75La29,75Er0,5)2S300 Single Crystals / I. A. Ivashchenko, I. D. Olekseyuk, V. V. Halyan, A. H. Kevshyn, T. Y. Kubatska, V. M. Rosolovska, P. Tishchenko, A. Selezen’ // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 159. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
dc.identifier.citationenPhysical Properties of the (Ga70La30)2S300, (Ga69,75La29,75Er0,5)2S300 Single Crystals / I. A. Ivashchenko, I. D. Olekseyuk, V. V. Halyan, A. H. Kevshyn, T. Y. Kubatska, V. M. Rosolovska, P. Tishchenko, A. Selezen’ // Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, May 29–June 2, 2017 Lviv, Ukraine. — Lviv, 2017. — P. 159. — (5 materials for quantum and optoelectronics and detectors of radiation).
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/40044
dc.language.isoen
dc.relation.ispartofОксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування : збірник тез міжнародної наукової конференції, 2017
dc.relation.ispartofOxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications : book of abstracts international conference, 2017
dc.relation.referencesen[1] J. Flahaut, M. Guittard, A. M. Loireau-Lozac’h, Rare earth sulphide and oxysulphide glasses, Glass Technology 24(1983) 149 – 156.
dc.relation.referencesen[2] M. Julien-Pouzol, S. Jaulmes, C. Dagron, Structure du trisulfure de lanthane et de gallium, Acta Crystallogr. B 38 (1982)1566 – 1568.
dc.relation.referencesen[3] V.V. Halyan, I.V. Kityk, A.H. Kevshyn, I.A. Ivashchenko, G. Lakshminarayana, M.V. Shevchuk, A. Fedorchuk, M. Piasecki, Effect of temperature on the structure and luminescence properties of Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2-Er2S3 glasses, Journal of Luminescence 181 (2017) 315-320.
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2017
dc.titlePhysical Properties of the (Ga70La30)2S300, (Ga69,75La29,75Er0,5)2S300 Single Crystals
dc.typeConference Abstract

Files

Original bundle

Now showing 1 - 2 of 2
Loading...
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Ivashchenko_I_A-Physical_Properties_of_159.pdf
Size:
103.71 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Loading...
Thumbnail Image
Name:
OMEE_2017_Ivashchenko_I_A-Physical_Properties_of_159__COVER.png
Size:
1.35 MB
Format:
Portable Network Graphics

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
license.txt
Size:
3 KB
Format:
Plain Text
Description: