Електропровідність та магнетоопір ниткоподібних кристалів кремнію
No Thumbnail Available
Date
2012
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
На основі дослідження електропровідності ниткоподібних кристалів Si<B, Au> з діаметрами 5–40 мкм, легованих домішкою бору до концентрацій поблизу переходу метал-ізолятор (ПМД), у температурному інтервалі 4,2–300 К, частотному діапазоні 1–1×106 Гц та сильних магнітних полях до 14 Тл виявлено від’ємний магнетоопір (ВМО) у поперечному магнітному полі, абсолютна величина якого залежить від їх діаметра. На основі дослідження кристалів методом імпедансної спектроскопії визначено концентрації домішок у кристалах, які становлять 5,0×1018 см-3. та 5,2×1018 см-3 для зразків різного діаметра, що пояснює виявлені відмінності електропровідності зразків. Conductance investigations of Si<B, Au> whiskers with diameters 5-40 mkm doped with B impurity to concentration in the vicinity to metal-insulator transition (MIT) in temperature range 4,2¸300 К, frequency range 1¸1×106 Hz and magnetic fields with intensity up to 14 Т have showed negative magnetoresistance in transverseve magnetic field, value of which is dependent of the whisker diameter. Impedance investigations allowed us to determine the whisker concentrations of about of 5,0×1018 сm-3. and 5,2×1018 сm-3 in the samples of various diameters, which is correspondent on the observed differences in the whisker conductance.
Description
Keywords
ниткоподібні кристали, кремній, електропровідність, магнетоопір, whiskers, silicon, conductance, magnetoresistance
Citation
Електропровідність та магнетоопір ниткоподібних кристалів кремнію / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Р. М. Корецький, С. Ю. Яцухненко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2012. – № 734 : Електроніка. – С. 91–97. – Бібліографія: 13 назв.