Degradation of light-emitting diodes on the basis of semiconductors of A3В5 by influence у- irradiation.

dc.contributor.authorIrkha, Vasiliy
dc.contributor.authorPetrenko, Nickolay
dc.contributor.authorMarkolenko, Pavel
dc.date.accessioned2011-02-14T14:07:29Z
dc.date.available2011-02-14T14:07:29Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractInfluence of у - irradiation on characteristics of the light-emitting diodes is considered.uk_UA
dc.identifier.citationIrkha V. Degradation of light-emitting diodes on the basis of semiconductors of A3В5 by influence у- irradiation / Vasiliy Irkha, Nickolay Petrenko, Pavel Markolenko // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХХ Міжнародної конференції TCSET2010, присвяченої 165-й річниці заснування Національного університету «Львівська політехніка», 23–27 лютого 2010 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2010. – С. 366.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/7382
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.subjectlight-emitting diodesuk_UA
dc.subjectradiationuk_UA
dc.subjectdegradationuk_UA
dc.titleDegradation of light-emitting diodes on the basis of semiconductors of A3В5 by influence у- irradiation.uk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
287.pdf
Size:
39.58 KB
Format:
Adobe Portable Document Format

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: