Femtosecond relaxation dynamics of photo-excited carriers in Si nanoparticles embedded in SiO2 matrix
Loading...
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Національний університет "Львівська політехніка"
Abstract
We show that full saturation of the interfacelocated trap states by the photogenerated carriers under the
femtosecond excitation in nano-Si/SiO2 results in the increase of the free carriers' lifetime and the quantum yield
of the luminescence. The observed increase of the quantum yield is unexpected, in contrast to the commonly observed
decrease under nanosecond excitation.
Description
Citation
Kadan V. M. Femtosecond relaxation dynamics of photo-excited carriers in Si nanoparticles embedded in SiO2 matrix / V. M. Kadan, V. A. Dan’ko, I. Z. Indutnyi, I. M. Dmitruk, P. I. Korenyuk, I. V. Blonskyi // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 139. – Паралельний титульний аркуш англійською. – Bibliography: 3 titles.