Вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs

dc.citation.journalTitleЕлектроніка
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”uk_UA
dc.contributor.authorЗаячук, Д. М.
dc.contributor.authorКруковський, С. І.
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.date.accessioned2018-09-19T10:06:28Z
dc.date.available2018-09-19T10:06:28Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractДосліджено вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs, вирощених методом рідиннофазної епітаксії (РФЕ) з розчинів-розплавів галію. Показано, що легування вказаними домішками вихідних розплавів спричиняє зниження концентрації вільних електро¬нів у вирощуваних шарах з подальшою інверсією типу їх провідності з електронної на діркову по досягненні концентрацією домішки критичного рівня Ncr, який залежить від сорту домішки. Встановлено, що для Yb Ncr становить значення порядку 0,04 ат. %, а для Gd - порядку 0,022 ат. %. Аналізуються можливі причини і механізми впливу досліджуваних домішок на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. Influence of Gd and Yb rare earth impurities on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown from gallium solution-melts by LPE method is investigated. It is shown that doping of initial melts by indicated impurities causes to decreasing of free electron concentration into grown layers. The layer conductivity inverts from n- to p-type when the impurity concentration amounts to critical value Ncr depended from impurity kind. It is established that Ncr for Yb is equal to 0,04 at. % and for Gd 0,022 at. %. The possible reasons and mechanisms of investigated impurity influence on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers are analysed.uk_UA
dc.format.pages73–76
dc.identifier.citationЗаячук Д. М. Вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs / Д. М. Заячук, С. І. Круковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 73–76. – Бібліографія: 9 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42658
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.relation.references1. Schubert E.F., Fisher A., Ploog K. //Electron. Lett. 1985. 21. P. 411 - 414. 2. Horikoshi Y., Ploog K. // Appl. Phys. 1985. 37. P. 47 - 54. 3. Bolshakova I.A., Moskovets T.A., Krukovsky S.I. and Zayachuk D.M. //Mater. Sci. & Engineering, 2000, B69-70. P. 441 - 443. 4. Мастеров В.Ф., Захаренков Л.Ф. // ФТП. 1990. 24. С. 610 - 629. 5. Susumu K., Toshimaso A., Haruo N. // J. Cryst. Growth. 1983. 64. P. 433 - 440. 6. Шимияну Ф.С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах. Кишинев, 1976. 7. Стрельченко С.С., Лебедев 3 5 В.В. Соединения А В . М., 1984. 8. Беспалов В.А., Елкин А.Г., Журкин Б.Г., Квит А.В., Октябрьский С.Р., Перешагин Г.А. //Краткие сообщения по физике. 1987. 9. С. 32 - 34.uk_UA
dc.rights.holder© Заячук Д. М., Круковський С. І., 2001uk_UA
dc.subject.udc621.315.592uk_UA
dc.titleВплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAsuk_UA
dc.title.alternativeInfluence of Gd and Yb rare earth impurities on the electrophysical properties GaAs epitaxial layersuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
14_73-76.pdf
Size:
126.33 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description: