Вимірювання зарядового стану на межі SI-SIO2 за допомогою імпедансної CV-характеристики

Abstract

Проаналізовано властивості нерівноважних вольт-фарадних (CV) характеристик МОН структури, знятих на трапецоїдних імпульсах розгортки з тривалістю фронтів, меншою від часу перезарядження поверхневих станів і глибоких рівнів у напівпровіднику. Показано, що такі нерівноважні CV-характеристики можуть бути використані для електрофізичного діагностування надійності структур великих інтегральних схем на стадії їхнього формування. Проанализированы свойства неравновесных вольт-фарадных (CV) характеристик металл-окисел- полупроводниковой структуры, снятых на трапецоидальных импульсах развертки с продолжительностью фронтов, меньшей от времени перезаряжения поверхностных состояний и глубоких уровней в полупроводнике. Показано, что такие неравновесные CV-характеристики могут быть использованы для электрофизического диагностирования надежности структур больших интегральных схем на стадии их формирования. In this article, properties of the nonequilibrium impulse CV-characteristics of MOS (MIS) structures are measured by response to a trapezoidal voltage pulse with edge times shorter than the recharge-time constants of the interface and semiconductor (Si) bulk electron states and analysed. It is shown how such nonequilibrium CV-characteristics can be used for electrophysical testing of reliability of LSI-circuit structures at the formation stage.