Вимірювання зарядового стану на межі SI-SIO2 за допомогою імпедансної CV-характеристики
No Thumbnail Available
Date
2008
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Національний університет "Львівська політехніка"
Abstract
Проаналізовано властивості нерівноважних вольт-фарадних (CV) характеристик МОН структури, знятих
на трапецоїдних імпульсах розгортки з тривалістю фронтів, меншою від часу перезарядження поверхневих
станів і глибоких рівнів у напівпровіднику. Показано, що такі нерівноважні CV-характеристики можуть
бути використані для електрофізичного діагностування надійності структур великих інтегральних схем на
стадії їхнього формування. Проанализированы свойства неравновесных вольт-фарадных (CV) характеристик металл-окисел-
полупроводниковой структуры, снятых на трапецоидальных импульсах развертки с продолжительностью
фронтов, меньшей от времени перезаряжения поверхностных состояний и глубоких уровней в
полупроводнике. Показано, что такие неравновесные CV-характеристики могут быть использованы для
электрофизического диагностирования надежности структур больших интегральных схем на стадии их
формирования. In this article, properties of the nonequilibrium impulse CV-characteristics of MOS (MIS) structures are measured by
response to a trapezoidal voltage pulse with edge times shorter than the recharge-time constants of the interface and
semiconductor (Si) bulk electron states and analysed. It is shown how such nonequilibrium CV-characteristics can be
used for electrophysical testing of reliability of LSI-circuit structures at the formation stage.
Description
Keywords
Citation
Бережанський В. Вимірювання зарядового стану на межі SI-SIO2 за допомогою імпедансної CV-характеристики. / В. Бережанський, С. Новосядлий // Вимірювальна техніка та метрологія : міжвідомчий науково-технічний збірник Вип. 68 / Національний університет "Львівська політехніка" ; відп. ред. Б. І. Стадник. - Л. : Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008. - С. 46-54.