Вплив високотемпературної обробки на мехінізми струмопроходження в mono- i poly - n-Si

Simple item page
dc.contributor.authorПаньків, Л. І.
dc.contributor.authorЛабовка, Д. В.
dc.contributor.authorЛучкевич, В. М.
dc.contributor.authorТерлецька, А. М.
dc.contributor.authorХляп, Г. М.
dc.contributor.authorЦмоць, В. М.
dc.date.accessioned2015-12-23T09:56:47Z
dc.date.available2015-12-23T09:56:47Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractОписані результати з вивчення впливу високотемпературної обробки при температурі 900° С (ВТО-900) на механізми струмопроходження в структурах на основі mono- та poly-n-Si вихідних зразків і зразків, що пройшли ВТО. Порівняння ВАХ показало, що високотемператрна обробка не впливає на механізми струмопроходження в цих структурах.Встановлено, що домінуючою компонентою струму, який спостерігається в експеременті є тунельний.The results of the influence of high-temperature treatment at 900° C (HTT-900) on current mechanism in intial and treated mono- and poly-n-Si-based structures are presented. Comparison of I-V characteristics showed that high-temperature treatment does not influence o current mechanism in these structures. It was turned out that tunneling current is the dominant component of experimentally observed current.uk_UA
dc.identifier.citationВплив високотемпературної обробки на мехінізми струмопроходження в mono- i poly - n-Si / Л. І. Паньків, Д. В. Лабовка, М. М. Лучкевич, А. М. Терлецька, Г. М. Хляп, В. М. Цмоць // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 112–118. – Бібліографія: 5 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30859
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.titleВплив високотемпературної обробки на мехінізми струмопроходження в mono- i poly - n-Siuk_UA
dc.title.alternativeThe influence of high temperature treatment on current mechanisms in mono- i poly - n-Siuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
17-112-118.pdf
Size:
828.26 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

Collections

Електроніка. – 2003. – №482